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중적외선 발광다이오드

  • 기술번호 : KST2018014764
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중적외선 발광다이오드에 관한 것으로, 기판; 상기 기판의 상부에 성장되는 버퍼층; 상기 버퍼층의 상부에 성장되는 제1반도체층; 상기 제1반도체층의 상부에 성장되는 다중층; 및 상기 다중층의 상부에 순차적으로 성장되는 제2 내지 4반도체층을 포함하되, 각 층의 성장은 에피택시 성장되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020170052642 (2017.04.25)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0119214 (2018.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선훈 대한민국 광주광역시 동구
2 조민혁 대한민국 경상북도 울릉군
3 김태언 대한민국 광주광역시 서구
4 기현철 대한민국 광주광역시 북구
5 김두근 대한민국 광주광역시 광산구
6 신재철 대한민국 경상북도 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0402141-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0024209-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0107256-73
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0228336-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0228328-75
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0593114-19
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1077464-02
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1077443-43
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0185483-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상부에 성장되는 버퍼층;상기 버퍼층의 상부에 성장되는 제1반도체층;상기 제1반도체층의 상부에 성장되는 다중층; 및상기 다중층의 상부에 순차적으로 성장되는 제2 내지 4반도체층을 포함하되,각 층의 성장은 에피택시 성장되는 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 n-GaSb 기판인 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층은 n-GaSb인 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1반도체층은 n-Al0
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 다중층은 베리어층과 웰층이 순차적으로 반복 적층된 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
6 6
제 5 항에 있어서,상기 베리어층은 GaSb인 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
7 7
제 5 항에 있어서,상기 웰층은 InAs0
8 8
제 5 항에 있어서,상기 다중층은 상기 베리어층과 웰층이 각각 5층씩 반복 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제2반도체층은 GaSb인 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제3반도체층은 p-Al0
11 11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제4반도체층은 p-GaSb인 것을 특징으로 하는 중적외선 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국표준과학연구원 연구개발사업 중적외선 (2 ~ 5 ㎛) 발광 다이오드용 에피 기술 개발