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실리콘 기판에 비아를 형성하는 단계;상기 비아의 내벽과 기판의 표면에 시드층을 형성하는 단계;상기 기판 표면에 제1억제제를 전사하는 단계; 및 상기 제1억제제가 표면에 도포된 기판을, 제2억제제가 희석된 용액에 장입하여 상기 비아 내벽에 제2억제제를 흡착시키는 단계;상기 표면에는 제1억제제가 전사되고 비아 내벽에는 제2억제제가 흡착된 기판을 전해 증착함으로써 상기 비아를 충진하는 단계를 포함하며,상기 제1억제제 전사는, 캐리어에 제1억제제를 도포한 뒤 이를 상기 기판에 전사함으로써 이루어지며,상기 제1억제제는 상기 제2억제제보다 도금 억제 효과가 강한 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1억제제가 알칸티올계 물질인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 전극 형성 방법
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청구항 3에 있어서,상기 제1억제제가 옥탄티올(octanethiol), 데칸티올(decanethiol), 도데칸디올(dodecanethiol), 헥사데칸티올(hexadecanethiol), 옥타테칸티올(octadecanethiol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 전극 형성 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 제2억제제가 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리프로필렌글리콜인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 전극 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 캐리어가 PDMS 재질인 것으로 특징으로 하는 실리콘 관통 전극 형성 방법
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