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키랄성을 갖는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 유기 반도체:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 , , 또는 이고,Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이다
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제1항에 있어서, Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C10 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C10 아릴기이고,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C3의 알킬기이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C3의 알킬기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체
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3
제2항에 있어서, Ar1 및 Ar2는 페닐기이고,Ar3 및 Ar4는 페닐기이고,R1 및 R2는 메틸기이고,R3 및 R4는 메틸기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체
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하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물인 유기 반도체가 각각 자가 조립하여 초분자 키랄성을 갖는 초분자체인 키랄성 초분자체:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 , , 또는 이고,Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이다
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5
제4항에 있어서, 상기 키랄성 초분자체가 나노와이어 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 키랄성 초분자체
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제4항에 있어서, 상기 키랄성 초분자체가 유기트랜지스터의 유기 반도체층에 사용하기 위한 것임을 특징으로 하는 키랄성 초분자체
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7
기판;상기 기판 상에 배치되고, 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 유기반도체가 자가 조립된 키랄성 초분자체를 포함하는 유기 반도체층; 및상기 유기 반도체층 상에 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 유기트랜지스터:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 , , 또는 이고,Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이다
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제7항에 있어서,상기 유기트랜지스터가 상기 기판과 상기 유기 반도체층 사이에 표면개질층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기트랜지스터
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제8항에 있어서, 상기 표면개질층이 상기 기판을 n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리클로로실란, n-옥틸트리클로로실란, n-옥틸포스페이트 및 n-옥타데실포스페이트 중에서 선택된 어느 하나로 표면처리하여 형성된 자기조립단분자층(SAMs, Self-assembled Monolayers)인 것을 특징으로 하는 유기트랜지스터
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제7항의 유기트랜지스터를 포함하는 원편광감지 전자소자
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(a) 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 상에 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 키랄성을 갖는 유기 반도체가 자가 조립된 키랄성 초분자체를 포함하는 유기반도체층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 유기반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를포함하는 유기트랜지스터의 제조방법:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, X1 및 X2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 , , 또는 이고,Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,Ar3 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C6 내지 C14 아릴기이고,R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이고,R3 및 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 C1 내지 C5의 알킬기이다
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제11항에 있어서, 상기 유기트랜지스터의 제조방법이상기 단계(a) 후에,(1) 상기 기판의 일면을 산화처리하여 히드록시기(-OH)를 상기 일면에 포함하는 기판을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기트랜지스터의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 유기트랜지스터의 제조방법이상기 단계(1) 후에,(2) 상기 기판의 산화처리된 일면을 n-옥타데실트리메톡시실란, n-옥타데실트리클로로실란, n-옥틸트리클로로실란, n-옥틸포스페이트 및 n-옥타데실포스페이트 중에서 선택된 어느 하나로 표면처리하여 자가조립단분자층(SAMs, Self-assembled Monolayers)을 상기 기판의 산화처리된 일면 상에 형성하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기트랜지스터의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 단계(b)가 (b-1) 상기 유기반도체를 자가조립하여 나노와이어 형상을 갖는 키랄성 초분자체를 제조하는 단계; 및(b-2) 상기 키랄성 초분자체를 포함하는 유기반도체층을 상기 기판 상에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기트랜지스터의 제조방법
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