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박막 트랜지스터용 유-무기 하이브리드 유전체로서,무기물 바닥층 및 상기 무기물 바닥층 위에 적층된 하나 이상의 하이브리드 층을 포함하고,상기 하이브리드 층은 무기물 층 및 상기 무기물 층 위에 적층된 유기물 층을 포함하며,상기 유기물 층은 유기물의 자기조립 단분자막을 포함하고,상기 유기물은 탄화수소 사슬 양 말단에 포스폰산 반응기가 도입된 2가성 포스폰산을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제1항에 있어서,상기 2가성 포스폰산은 C6-15 알칸디일비스(포스폰산)(C6-15 alkanediylbis(phosphonic acid))을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제2항에 있어서,상기 C6-15 알칸디일비스(포스폰산)(C6-15 alkanediylbis(phosphonic acid))은 1,10-데칸디일비스(포스폰산)(1,10-Decanediylbis(phosphonic acid); DBPA)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 하이브리드 층 중 최상층에 포함된 무기물 층 위에 2가성 포스폰산 또는 1가성 포스폰산의 자기조립 단분자막이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제4항에 있어서,상기 2가성 포스폰산은 1,10-데칸디일비스(포스폰산)(1,10-Decanediylbis(phosphonic acid); DBPA)을 포함하고, 상기 1가성 포스폰산은 n-도데실포스폰산(n-dodecylphosphonic acid; C12-PA)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하이브리드 층의 갯수는 1 내지 3개인 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 무기물 바닥층, 상기 무기물 층, 또는 이들 모두는 산화알루미늄(Al2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 산화하프늄(HfO2) 및 산화이트륨(Y2O3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 유-무기 하이브리드 유전체
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,표면 거칠기(rms)가 0
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전극, 반도체 및 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 유-무기 하이브리드 유전체를 포함하는 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 전극은 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하고,상기 반도체가 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 유전체 위에 적층되는 구조, 상기 반도체 위에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 적층되는 구조, 또는 상기 게이트 전극이 상기 유전체 위에 적층되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 유-무기 하이브리드 유전체에 포함된 하나 이상의 하이브리드 층 중 최상층에 포함된 무기물 층 위에 n-도데실포스폰산(n-dodecylphosphonic acid; C12-PA)의 자기조립 단분자막이 형성되고, 상기 반도체는 유기반도체인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 유-무기 하이브리드 유전체에 포함된 하나 이상의 하이브리드 층 중 최상층에 포함된 무기물 층 위에 1,10-데칸디일비스(포스폰산)(1,10-Decanediylbis(phosphonic acid); DBPA)의 자기조립 단분자막이 형성되고, 상기 반도체는 무정형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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제11항에 있어서,상기 유기반도체는 펜타센, 테트라센, 나프타센, 안트라센, 올리고 페닐렌, 올리고 티오펜, 올리고 플루오렌, 프탈로시아닌, 루브렌, 풀러렌 및 폴리아세틸렌으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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제12항에 있어서,상기 무정형 산화물 반도체는 아연 주석 산화물(Zinc Tin Oxide; ZTO), 인듐 산화물(In2O3), 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터
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게이트 전극을 위한 실리콘 웨이퍼 위에 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항의 유-무기 하이브리드 유전체 층을 형성하는 단계,상기 유-무기 하이브리드 유전체 층 위에 반도체 층을 형성하는 단계, 및상기 반도체 층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계를 포함하는, 제9항의 박막 트랜지스터의 제조방법
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