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(a) 물에 황산마그네슘 또는 염화마그네슘을 용해시키는 바인더 제조단계;(b) 제조된 바인더를 산화마그네슘 분말과 혼합하는 1차 혼합물 생성단계;(c) 1차 혼합물에 부재료를 혼합하는 2차 혼합물 생성단계;(d) 몰드에 유리섬유 메쉬를 적층하고 2차 혼합물을 붓는 1차 보드 성형단계;(e) 1차 보드 성형물에 탄소섬유 그리드를 적층하는 단계;(f) 탄소섬유 그리드가 적층된 1차 보드에 2차 혼합물을 붓는 2차 보드 성형단계;(g) 2차 보드 성형물에 보강재를 적층하여 2차 혼합물을 붓는 보드 제조 단계 및(h) 제조된 보드를 건조하는 건조단계를 포함하며,상기 부재료는,상기 2차 혼합물 기준으로 진주암 5~10 중량%, 기타재료 10~20 중량%를 포함하고,상기 기타재료는,진주암분말, 톱밥, 탄산칼슘, 수산화나트륨, 뼈아교, 송진, 황산철 및 인산염을 포함하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (h) 단계 이후에,건조된 보드에 단열재를 접착하고 또 하나의 보드를 적층하여 건조하는 판넬 제조단계를 더 포함하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 황산마그네슘 또는 염화마그네슘은,상기 2차 혼합물 기준으로 15~30 중량%로 조성되는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화마그네슘은,상기 2차 혼합물 기준으로 50~60 중량%로 조성되는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소섬유 그리드는,격자 간격이 가로 및 세로가 각각 10mm 내지 200mm 사이이며, 무게가 100g/m2 내지 700g/m2 사이에서 조성되는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 (g)단계의 보강재는,유리섬유 메쉬 또는 부직포를 포함하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 판넬 제조단계는,건조 시 1차 건조실에서 건조 뒤 온도 및 습도를 조절하여 2차 건조실에서 건조를 진행하는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 판넬 제조단계 이후에,건조된 판넬의 테두리 절단하여 저장하는 마무리 단계를 더 포함하며,상기 마무리 단계는 테두리 절단 후에 연마재를 사용하여 샌딩을 한 후 포장하는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬 제조방법
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2개의 보드 사이에 단열재가 적층되어 형성되는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬에 있어서,상기 보드는,유리섬유 메쉬; 탄소섬유 그리드; 보강재가 차례로 적층되되, 상기 보강재 상면 및 상기 유리섬유 메쉬 하면에 적층되고, 상기 유리섬유 메쉬와 탄소섬유 그리드 사이 및 상기 탄소섬유 그리드와 보강재 사이에 적층되어 상기 유리섬유, 탄소섬유 그리드 및 보강재와 교대로 형성되는 2차 혼합물을 포함하고,상기 2차 혼합물은,물에 황산마그네슘 또는 염화마그네슘이 용해되어 제조된 바인더를 산화마그네슘 분말과 혼합한 1차 혼합물에 부재료가 혼합되어 형성되며,상기 황산마그네슘 또는 염화마그네슘은 15~30 중량%로 조성되며,상기 산화마그네슘은 50~60 중량%로 조성되고,상기 부재료는 진주암 5~10 중량%, 기타재료 10~20 중량%를 조성되되,상기 기타재료는,진주암분말, 톱밥, 탄산칼슘, 수산화나트륨, 뼈아교, 송진, 황산철 및 인산염을 포함하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬
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제 11 항에 있어서,상기 탄소섬유 그리드는,격자 간격이 가로 및 세로가 각각 10mm 내지 200mm 사이이며, 무게가 100g/m2 내지 700g/m2 사이에서 조성되는 것을 특징으로 하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬
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제 11 항에 있어서,상기 보강재는,유리섬유 메쉬 또는 부직포를 포함하는 탄소섬유 그리드 기술을 적용한 고강도 산화마그네슘 복합판넬
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