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기판 상에 전자 수송층을 형성하는 단계;상기 전자 수송층 상에 페로브스카이트 물질을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 정공 전달층을 형성하는 단계 및상기 정공 전달층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광흡수층을 형성하는 단계는 상기 전자 수송층이 형성된 기판을 무극성 용매 상에 함침시키고, 이를 열처리하여 수행하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 무극성 용매는 페로브스카이트 중간상을 형성시킬 수 있는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무극성 용매는 콜로로벤젠(Chlorobenzene), 1,2-디클로로벤젠(1,2-Dichlorobenzene), 1,3-디클로로벤젠(1,3-Dichlorobenzene), 클로로나프탈렌(Chloronaphthalene) 및 이들의 혼합용매로 이루어진 군에서 선택된 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 100℃ 내지 200℃에서 수행하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 전자 수송층은 티탄, 주석, 아연, 텅스텐, 지르코늄, 갈륨, 인듐, 이트륨, 니오브, 탄탈, 바나듐, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 금속의 산화물은 이산화 타이타늄(TiO2), 산화주석(SnO2), 티타늄(Ⅱ)클로라이드(TiCl2), 산화아연(ZnO), 산화 구리(Ⅱ)(CuO), 산화니켈(Ⅱ)(NiO), 산화코발트(Ⅱ)(CoO), 산화인듐(In2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화마그네슘(MgO), 산화칼슘(CaO), 산화란탄(La2O3), 산화네오디뮴(Nd2O3), 산화이트륨(Y2O3), 산화세륨(CeO2), 산화납(PbO), 산화지르코늄(ZrO2), 산화철(Fe2O3), 산화비스무트(Bi2O3), 오산화바나듐(V2O5), 산화 바나듐(V)(VO2), 오산화나이오븀(Nb2O5), 산화코발트(Ⅳ)코발트(Ⅱ)(Co3O4), 알루미늄(Al2O3) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 페로브스카이트 물질은 하기 화학식 1로서 표시되는 화합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 화학식 1 중 R은 (R1R2R3R4N)+로서 표시되는 1 가의 유기 암모늄 이온으로서, R1 내지 R4 각각은 독립적으로 탄소수가 1 내지 24인 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수가 3 내지 20인 시클로알킬기, 탄소수가 6 내지 20인 아릴기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인,페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 화학식 1 중 X는 할라이드 음이온 또는 칼코게나이드 음이온을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 정공 전달층은 2,2’,7,7’-테트라키스(디페닐아미노)-9,9’-스피로비플루오렌(2,2',7,7'-tetrakis(diphenylamino)-9
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제 1항에 있어서,상기 기판은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 플루오린 틴 옥사이드(FTO), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 유리 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 물질을 함유하는 유리 기재 또는 플라스틱 기재를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 플라스틱 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(poly(ethylenenaphthalate), PEN), 폴리카보네이트 (polycarbonate), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리이미드 (polyimid), 트리아세틸셀룰로오스(cellulose triacetate), 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 전극층은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 13항에 있어서,상기 전극층은 정공 수송층 상에 30nm 내지 100nm의 두께로 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 페로브스카이트 태양전지
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