| 1 |
1
하부투명전극;상기 하부투명전극 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 하부 마그네슘아연 산화물층;상기 하부 마그네슘아연 산화물층 위에 형성된 금속층; 및상기 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 갖는 상부 마그네슘아연 산화물층을 포함하고,상기 상부 마그네슘아연 산화물 또는 하부 마그네슘아연 산화물은 하기 화학식 1로 표현되는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 하부 마그네슘아연 산화물층은 그 두께가 10nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속층은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금 합금(Au alloy), 은 합금(Ag alloy), 구리 합금(Cu alloy) 및 알루미늄 합금(Al alloy)의 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 금속층은 산화물 표면에 존재하는 두께가 6nm 내지 20nm인 박막 구조인 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드
|
| 6 |
6
하부투명전극, 상기 하부투명전극 상에 형성된 발광층, 상기 발광층 상에 형성된 하부 마그네슘아연 산화물층, 상기 하부 마그네슘아연 산화물층 위에 형성된 금속층 및 상기 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 갖는 상부 마그네슘아연 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드의 제조방법에 있어서,기판 상에 하부투명전극을 형성하는 단계;상기 하부투명전극 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 하부 마그네슘아연 산화물층을 형성하는 단계;상기 하부 마그네슘아연 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 상기 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 갖는 상부 마그네슘아연 산화물층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속층 상에 상기 하부 마그네슘아연 산화물층보다 높은 마그네슘 함량을 갖는 상부 마그네슘아연 산화물층을 형성하는 단계는, 마그네슘아연산화물 타겟과 아연산화물 타겟의 스퍼터링 비를 조절하여 마그네슘의 함량을 제어하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 발광층 상에 하부 마그네슘아연 산화물층을 형성하는 단계는 상기 하부 마그네슘아연 산화물층을 졸-겔(sol-gel) 방식으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 발광층 상에 하부 마그네슘아연 산화물층을 형성하는 단계 후에 상기 하부 마그네슘아연 산화물층 표면에 저에너지 이온빔 표면 처리를 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 하부 마그네슘아연 산화물층 표면에 저에너지 이온빔 표면 처리를 하는 단계는 100eV의 에너지를 갖는 아르곤(Ar) 이온을 하부 마그네슘아연 산화물층 표면에 적용하는 것을 특징으로 하는 투명발광다이오드의 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
