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산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018014972
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 다공성 세라믹 지지층 상에 SiC를 이용하여 코팅층을 형성시킨 후 산화 분위기에서 소결하여 SiC 입자 표면에 SiO2 산화막을 형성시킨다. 이러한 SiO2 산화막의 낮은 결합 온도를 활용하여 수처리용 세라믹 분리막을 제조할 수 있다.본 발명에 따른 산화 처리된 SiC를 이용한 수처리용 세라믹 분리막은 다공성 세라믹 지지층; 및 상기 다공성 세라믹 지지층 상에 형성된 SiC층;을 포함하고, 상기 SiC층은 표면에 SiO2 산화막이 형성된 SiC 입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B01D 71/02 (2006.01.01) B01D 67/00 (2006.01.01) B01D 69/10 (2006.01.01)
CPC B01D 2325/30(2013.01)
출원번호/일자 1020180132428 (2018.10.31)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0121853 (2018.11.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2018-0099028 (2018.08.24)
관련 출원번호 1020180099028
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송인혁 경상남도 창원시 성산구
2 하장훈 경상남도 창원시 성산구
3 이종만 경상남도 창원시 성산구
4 사여드 자이검 아바스 부카리 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1080759-36
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번호 청구항
1 1
(a) 다공성 세라믹 지지층 상에 SiC 분말을 포함하는 슬러리를 코팅하는 단계; 및(b) 상기 코팅된 결과물을 950~1050℃에서 2~3
2 2
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 SiC 입자의 산화도가 12~15%가 되도록 소결시키는 것인 수처리용 세라믹 분리막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 SiO2 산화막의 두께가 0
4 4
제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서, SiC층은 평균 기공 크기가 0
5 5
제1항에 있어서,상기 SiC 입자의 평균 입경은 1㎛ 이하인 수처리용 세라믹 분리막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 CN108201794 CN 중국 FAMILY
2 JP30099678 JP 일본 FAMILY
3 KR101918916 KR 대한민국 FAMILY
4 KR1020180072025 KR 대한민국 FAMILY
5 US20180169588 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108201794 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2018099678 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국가과학기술연구회 주요사업 환경고도 청정화용 수처리 소재공정 기술개발(3/3)