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이온 교환막; 및이온 교환막 상에 유체 흐름을 안내하기 위한 채널을 포함하며,채널은 이온 교환막과 동일한 재질로 형성되며, 채널의 높이방향을 따라 소정간격으로 떨어져 배열된 복수 개의 제1 부재;인접하는 2개의 제1 부재를 연결하며, 제1 부재와 다른 재질로 형성된 제2 부재를 포함하고,제2 부재는, 아크릴계, 비닐계, 에폭시계 실란커플링제 및 폴리도파민을 포함하는 카테콜 화합물, 정전기적 인력을 유도하는 고분자 전해질 및 시아노아크릴레이트를 포함하는 접착제로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 패턴형 이온 교환막
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제 1항에 있어서,상기 채널의 높이는 10 내지 100 마이크로미터 이고, 폭은 4 내지 100 마이크로미터 인 패턴형 이온 교환막
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◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1항에 있어서,상기 제1 부재의 높이는 10 내지 30 마이크로미터 인 패턴형 이온 교환막
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제 1항에 있어서,상기 채널의 적어도 하나의 제1 부재는 이온교환막과 접촉하도록 마련된 패턴형 이온 교환막
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삭제
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제 1항에 있어서,상기 고분자 전해질은,이온교환막이 갖는 전하와 반대되는 전하를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴형 이온 교환막
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제 1항에 있어서,상기 이온 교환막과 채널 또는 제1 부재와 제2 부재는, 클릭반응, 에폭시-티올(Thiol) 반응 및 에폭시-무수화물 반응에 의해 접착되는 것을 특징으로 하는 패턴형 이온 교환막
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제 1항에 따른 패턴형 이온 교환막을 포함하는 역전기투석장치
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◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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3D 프린팅 기법을 통해 이온 교환막 상에 유체 흐름을 안내하기 위한 채널을 형성하는 단계를 포함하며,채널 형성 단계는, 이온 교환막과 동일한 재질의 제1 부재를 형성하는 단계; 및제1 부재 상에 제1 부재와 다른 재질의 제2 부재를 형성하는 단계; 를 포함하고,제2 부재는, 아크릴계, 비닐계, 에폭시계 실란커플링제 및 폴리도파민을 포함하는 카테콜 화합물, 정전기적 인력을 유도하는 고분자 전해질 및 시아노아크릴레이트를 포함하는 접착제로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 패턴형 이온 교환막 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 채널 형성 단계는, 제2 부재 상에 제1 부재를 형성하는 단계를 포함하는 패턴형 이온 교환막 제조 방법
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제 11항에 있어서,상기 채널의 높이방향을 따라 인접하는 제1 부재 사이 간격은 제2 부재의 높이와 동일한 것을 특징으로 하는 패턴형 이온 교환막 제조 방법
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◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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