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마이크로 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018015101
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 발광소자 및 그 제조 방법을 공개한다. 본 발명은 마이크로 발광소자를 제작할 때, n 전극과 p 전극을 서로 절연시키기 위해서 n 전극과 마이크로 발광소자 위에 형성되는 보호층을 투명한 재질의 저항 변화 물질로 형성하고, p 타입 반도체층의 상부에 형성된 보호층 영역에 저항 변화 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 그 내부에 전도성 필라멘트를 형성함으로써 투명 전극을 형성한다. 따라서, 본 발명은 종래기술에서 투명 전극을 형성하기 위한 마스크 공정을 생략함으로써, 보다 낮은 비용과 높은 생산성으로 마이크로 발광소자를 생산할 수 있다.
Int. CL H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01) H01L 27/156(2013.01)
출원번호/일자 1020170057509 (2017.05.08)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0123375 (2018.11.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.08)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 손경락 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0439194-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2018.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0141331-65
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0001049-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0014098-31
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0161806-28
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0161805-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0337878-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 마스크를 이용하여 상기 제 1 반도체층이 드러나도록 상기 제 2 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제 1 반체층을 순차적으로 식각하여, 상기 기판위에 복수의 마이크로 발광소자 셀들을 형성하는 단계;(c) 마스크를 이용하여 상기 마이크로 발광소자 셀들 사이에 제 1 전극을 서로 나란한 복수의 열로 형성하는 단계;(d) 상기 기판위의 전체 영역에 투명한 재질의 저항 변화 물질을 증착하여, 상기 제 1 전극들 및 상기 복수의 마이크로 발광소자 셀들의 전체 표면에 보호층을 형성하고, 상기 보호층 중에서 복수의 마이크로 발광소자 셀들의 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층 영역에 각각 전압을 인가하여, 상기 제 2 반도체층 위의 보호층 내부에만 국부적으로 전도성 필라멘트를 형성함으로써, 상기 복수의 마이크로 발광소자 셀들의 상기 제 2 반도체층 위의 보호층 영역을 투명 전극으로 변환시키는 단계; 및(e) 마스크를 이용하여 상기 보호층의 전체 영역 중 상기 전도성 필라멘트라 형성되어 투명 전극으로 변환된 영역 위에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는마스크를 이용하여, 제 2 반도체층의 일부 영역을 외부로 노출시키는 홀이 형성되도록 상기 보호층을 형성하고,상기 외부로 노출된 상기 제 2 반도체층의 일부 영역과 상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층 영역에, 상기 저항 변화 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 제 2 전극은 상기 홀 위에 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는한 쌍의 프로브 전극 중 어느 하나를 보호층 상부에 강하게 접촉시켜, 프로브 전극을 상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층을 관통시켜 상기 제 2 반도체층에 접촉하도록 하고, 나머지 하나의 프로브 전극을 상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층 영역에 접촉시킨 후, 상기 저항 변화 물질에 고유한 임계 전압 이상의 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 제 2 전극은 상기 보호층이 상기 프로브 전극에 의해서 관통되어 상기 제 2 반도체층이 드러난 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자 제조 방법
6 6
기판;상기 기판위에 형성된 복수의 마이크로 발광소자 셀들;상기 마이크로 발광소자 셀들 사이에 서로 나란한 복수의 열들로 형성되는 제 1 전극들; 상기 제 1 전극들 및 상기 복수의 마이크로 발광소자 셀들의 전체 표면에, 투명한 저항 변화 물질들로 증착 형성되는 보호층; 상기 보호층 중 상기 마이크로 발광소자 셀의 상부에 형성된 영역 내부에 국부적으로 전도성 필라멘트가 형성됨으로써 전도성을 갖도록 변환된 투명 전극; 및 상기 보호층의 전체 영역 중 상기 전도성 필라멘트라 형성되어 투명 전극으로 변환된 영역 위에 형성된 제 2 전극을 포함하고,상기 마이크로 발광소자 셀들은 제 1 반도체층, 활성층, 및 제 2 반도체층이 순차적으로 적층되어 형성되고, 상기 마이크로 발광소자 셀들은 상기 제 2 반도체층 및 상기 활성층은 서로 분리되어 있고 상기 제 1 반도체층은 서로 연결되며, 상기 제 1 전극은 상기 마이크로 발광소자 셀들 사이에 외부로 노출된 상기 제 1 반도체층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 보호층 중 상기 마이크로 발광소자 셀의 상부 영역에는 상기 전도성 필라멘트를 형성할 때, 프로브 전극을 상기 제 2 반도체층에 접촉하기 위한 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 홀을 채우면서 상기 투명 전극과 접촉하도록 상기 투명 전극 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.