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리튬 금속을 포함하는 전극층 상에, 교대로 반복 적층된 제1 보호층 및 제2 보호층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 보호층은 제1 유기 고분자 물질을 포함하고,상기 제2 보호층은 무기 고분자 물질을 포함하거나, 제2 유기 고분자 물질 및 무기 나노 입자들을 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 보호층들을 형성하는 것은:상기 전극층 상에 블록 공중합체를 포함하는 용액을 도포하는 것; 및어닐링 공정을 수행하여 상기 블록 공중합체를 상분리시키는 것을 포함하되,상기 블록 공중합체는, 각각 0
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제 2 항에 있어서,상기 제1 고분자 블록은 상기 제1 유기 고분자 물질을 포함하고,상기 제2 고분자 블록은 상기 무기 고분자 물질을 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 용액은 상기 무기 나노 입자들을 포함하고,상기 제1 고분자 블록은 상기 제1 유기 고분자 물질을 포함하고, 상기 제2 고분자 블록은 상기 제2 유기 고분자 물질을 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 어닐링 공정 동안, 상기 무기 나노 입자들은, 상기 제2 고분자 블록이 상분리되어 형성되는 상기 제2 보호층 내로 이동하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 어닐링 공정을 수행하는 것은 제1 열처리 공정 또는 용매 어닐링 공정을 수행하는 것을 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제1 및 제2 보호층들을 형성하는 것은, 상기 어닐링 공정의 수행 후 제2 열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하되,상기 제2 열처리 공정 또는 플라즈마 처리 공정에 의해 상기 제1 보호층 내에 포어들(pores)이 형성되는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 보호층들을 형성하는 것은:상기 전극층 상에 제1 용액 및 제2 용액을 교대 반복적으로 도포하는 것을 포함하되,상기 제1 용액은 제1 고분자 물질을 포함하고,상기 제2 용액은 상기 무기 고분자 물질을 포함하거나, 상기 제2 유기 고분자 물질 및 상기 무기 나노 입자들을 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 유기 고분자 물질들은 서로 다른 물질을 포함하되,상기 제1 및 제2 유기 고분자 물질들의 각각은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate)), 폴리에틸렌옥사이드(polyethylene oxide), 폴리비닐피리딘(polyvinylpyridine), 폴리2-비닐피리딘(poly(2-vinyl pyridine), 폴리4-비닐피리딘(poly(4-vinyl pyridine), 폴리크릴산(polyacrylic acid), 폴리에틸렌글리콜(poly(ethylene glycol)), 폴리부틸메타크릴레이트(polybutylmethacrylate), 폴리tert-부틸아크릴레이트(poly(tert-butyl acrylate), 폴리4-t-부틸스티렌(poly(4-t-butylstyrene)), 폴리시클로헥실에틸렌(poly(cyclohexylethylene)), 폴리부타디엔(polybutadiene), 폴리이소프렌(polyisoprene), 폴리헥실아클리레이트(polyhexylacrylate), 폴리이소부틸렌(polyisobutylene), 폴리에틸에틸렌(polyethylethylene) 또는 이들의 유도체를 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기 고분자 물질은 폴리디메틸실록산(poly(dimethlysiloxane)), 폴리4-tert-부틸디메틸실릴옥시스티렌(poly(4-(tert-butyldimethylsilyl)oxystyrene), 폴리비닐페로센(poly(vinylferrocene)), 폴리페로세닐실란(polyferrocenylsilanes), 폴리페로세닐메틸실란(poly(ferrocenylmethylsilane)), 폴리페로세닐디메틸실란(poly(ferrocenyldimethylsilane)), 폴리트리메틸실리스티렌(poly(trimethylsilylstyrene)), 폴리펜타메틸디실릴스티렌(poly(pentamethyldisilylstyrene)), 또는 이들의 유도체를 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기 나노 입자들은 Si, Fe, Ti, Au, Zn 및 Ru 중 적어도 하나를 포함하는 리튬 전지용 전극 구조체의 제조 방법
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애노드 구조체를 준비하는 것; 캐소드 구조체를 준비하는 것;상기 애노드 구조체 및 상기 캐스드 구조체 사이에 분리막을 배치하는 것; 및 상기 애노드 구조체 및 상기 캐소드 구조체 사이에 전해질을 채우하는 것을 포함하고,애노드 구조체를 준비하는 것은, 리튬 금속을 포함하는 제1 전극층 상에 교대로 반복 적층된 제1 보호층 및 제2 보호층을 포함하는 보호 적층체를 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 보호층은 제1 유기 고분자 물질을 포함하고, 상기 제2 보호층은 무기 고분자 물질을 포함하거나, 제2 유기 고분자 물질 및 무기 나노 입자들을 포함하는 리튬 전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 보호 적층체를 형성하는 것은:상기 제1 전극층 상에 블록 공중합체를 포함하는 용액을 도포하는 것; 및어닐링 공정을 수행하여 상기 블록 공중합체를 상분리시키는 것을 포함하되,상기 블록 공중합체는, 각각 0
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제 13 항에 있어서,상기 제1 고분자 블록은 상기 제1 유기 고분자 물질을 포함하고,상기 제2 고분자 블록은 상기 무기 고분자 물질 또는 상기 제2 유기 고분자 물질을 포함하는 리튬 전지의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제2 보호층이 상기 제2 유기 고분자 물질 및 상기 무기 나노 입자들을 포함하는 경우,상기 용액은 상기 무기 나노 입자들을 포함하고,상기 어닐링 공정 동안, 상기 무기 나노 입자들은, 상기 제2 고분자 블록이 상분리되어 형성되는 상기 제2 보호층 내로 이동하는 리튬 전지의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 보호 적층체를 형성하는 것은, 상기 어닐링 공정의 수행 후 후처리 공정을 수행하는 것을 더 포함하되,상기 후처리 공정에 의해 상기 제1 보호층 내에 포어들(pores)이 형성되는 리튬 전지의 제조 방법
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