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기판 상부에 적층되고, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극; 및상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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기판 상부에 적층되고, 산화물층 및 금속층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극; 및상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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기판 상부에 적층되고, 산화물층, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 하부 전극; 및상기 하부 전극과 교차하는 형태로 그 상부에 적층되고, 금속층 및 산화물층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성된 상부 전극;을 포함하고,상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 저항 변화층은,상기 상부 전극의 금속층과 상기 하부 전극의 금속층 사이에 인가된 전압에 의해, 상기 저항 변화층 내부에 전도성 필라멘트가 생성되거나 소실되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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제 4항에 있어서,상기 하부 전극은, 소정 간격으로 평행하게 배열된 복수의 열로 패터닝되고,상기 상부 전극은,상기 하부 전극과 직교하는 형태의 크로스바 어레이(cross bar array) 구조를 이루며, 소정 간격으로 평행하게 배열되는 복수의 열로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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제 5항에 있어서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층은,금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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제 5항에 있어서,상기 하부 전극의 산화물층과 상기 상부 전극의 산화물층은,산화아연(ZnO), 산화타이타늄(TiO2), 삼산화텅스텐(WO3), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO), Mn-doped tin oxide(MTO), Zn doped tin oxide(ZTO), Ga doped ZnO(GZO), SnxOy, ZrxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, NbxOy ZnMgBeO, MgxOy, MgxNy, TixNy, InxNy, GaxNy, GaxOy, boron nitride(BN), NixNy, SixNy, Al doped ZnO(AZO), MgxZnyOx 및 CuxOy 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
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(1) 기판 상부에 하부 전극의 형성을 위한 산화물층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계;(2) 상기 패터닝된 산화물층의 상부에 동일한 패턴으로 금속층을 패터닝하는 단계;(3) 상기 패터닝된 금속층의 상부에 동일한 패턴으로 산화물층을 다시 패터닝하여 상기 하부 전극을 형성하는 단계;(4) 상기 하부 전극과 교차하는 소정의 패턴으로, 상기 하부 전극의 위에 상부 전극의 형성을 위한 산화물층을 패터닝하는 단계;(5) 상기 상부 전극의 형성을 위한 산화물층의 상부에 동일한 패턴으로 금속층을 패터닝하는 단계; 및(6) 상기 패터닝된 금속층의 상부에 동일한 패턴으로 산화물층을 다시 패터닝하여 상기 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 (3)단계 및 상기 제 (4)단계의 산화물층은 저항변화 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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(1) 기판 상부에 하부 전극의 형성을 위한 산화물층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계;(2) 상기 패터닝된 산화물층의 상부에 동일한 패턴으로 금속층을 패터닝하여 상기 하부 전극을 형성하는 단계;(3) 상기 하부 전극과 교차하는 소정의 패턴으로, 상기 하부 전극의 위에 상부 전극의 형성을 위한 산화물층을 패터닝하는 단계;(4) 상기 상부 전극의 형성을 위한 산화물층의 상부에 동일한 패턴으로 금속층을 패터닝하는 단계; 및(5) 상기 패터닝된 금속층의 상부에 동일한 패턴으로 산화물층을 패터닝하여 상기 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 (3)단계의 산화물층은 저항변화 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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(1) 기판 상부에 하부 전극의 형성을 위한 산화물층을 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계;(2) 상기 패터닝된 산화물층의 상부에 동일한 패턴으로 금속층을 패터닝하는 단계;(3) 상기 패터닝된 금속층의 상부에 동일한 패턴으로 산화물층을 패터닝하여 상기 하부 전극을 형성하는 단계;(4) 상기 하부 전극과 교차하는 소정의 패턴으로, 상기 하부 전극의 위에 상부 전극의 형성을 위한 금속층을 패터닝하는 단계; 및(5) 상기 패터닝된 금속층의 상부에 동일한 패턴으로 산화물층을 패터닝하여 상기 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제 (3)단계의 산화물층은 저항변화 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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제 8항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 교차점에서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층 사이에 위치한 산화물층이 저항 변화층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 저항 변화층은,상기 상부 전극의 금속층과 상기 하부 전극의 금속층 사이에 인가된 전압에 의해, 상기 저항 변화층 내부에 전도성 필라멘트가 생성되거나 소실되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 하부 전극은, 소정 간격으로 평행하게 배열된 복수의 열로 패터닝되고,상기 상부 전극은,상기 하부 전극과 직교하는 형태의 크로스바 어레이(cross bar array) 구조를 이루며, 소정 간격으로 평행하게 배열되는 복수의 열로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 하부 전극의 금속층과 상기 상부 전극의 금속층은,금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 하부 전극의 산화물층과 상기 상부 전극의 산화물층은,산화아연(ZnO), 산화타이타늄(TiO2), 삼산화텅스텐(WO3), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 산화몰리브덴(MoO3), 산화니켈(NiO), Mn-doped tin oxide(MTO), Zn doped tin oxide(ZTO), Ga doped ZnO(GZO), SnxOy, ZrxOy, CoxOy, CrxOy, VxOy, NbxOy ZnMgBeO, MgxOy, MgxNy, TixNy, InxNy, GaxNy, GaxOy, boron nitride(BN), NixNy, SixNy, Al doped ZnO(AZO), MgxZnyOx 및 CuxOy 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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