| 1 |
1
다결정 실리콘이 형성하는 다수의 단위 결정체들의 집합체이고,단위 결정체들 사이의 결정립계에 그래핀이 배치된 구조를 갖는 것을 특징으로 하며,단위 결정체들에 p형 원소가 도핑된 경우, 동일 조건의 그래핀 미포함 다결정 실리콘과 대비하여, 결정입계 사이의 정공 이동도(hole mobility)가 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하고,단위 결정체들에 n형 원소가 도핑된 경우, 동일 조건의 그래핀 미포함 다결정 실리콘과 대비하여, 결정입계 사이의 전자 이동도(hole mobility)가 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하는,그래핀-다결정 실리콘 복합체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 결정립계에는 다수의 그래핀들이 적층되어 배치된 것을 특징으로 하는,그래핀-다결정 실리콘 복합체
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 단위 결정체들 사이에 배치된 그래핀은그래핀, 환원된 산화그래핀 또는 산화그래핀인 것을 특징으로 하는,그래핀-다결정 실리콘 복합체
|
| 8 |
8
다결정 실리콘 분말과 산화그래핀 분말을 분산 용매에서 혼합시키는 단계;상기 혼합된 다결정 실리콘 분말과 산화그래핀 분말에 환원제를 첨가하여, 환원된 산화그래핀이 실리콘 분말의 표면에 코팅된 혼합 분말을 제조하는 단계; 및상기 혼합 분말을 소결하여 그래핀-다결정 실리콘 복합체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 그래핀-다결정 실리콘 복합체는 다결정 실리콘이 형성하는 다수의 단위 결정체들의 집합체로서, 상기 단위 결정체들 사이의 결정립계에 그래핀이 배치된 구조를 갖는 것을 특징으로 하며,단위 결정체들에 p형 원소가 도핑된 경우, 동일 조건의 그래핀 미포함 다결정 실리콘과 대비하여, 결정입계 사이의 정공 이동도(hole mobility)가 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하고,단위 결정체들에 n형 원소가 도핑된 경우, 동일 조건의 그래핀 미포함 다결정 실리콘과 대비하여, 결정입계 사이의 전자 이동도(hole mobility)가 높은 값을 나타내는 것을 특징으로 하는,그래핀-다결정 실리콘 복합체의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 그래핀-다결정 실리콘 복합체를 제조하는 단계는 방전 플라즈마 소결법으로 수행하는 것을 특징으로 하는,그래핀-다결정 실리콘 복합체의 제조 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 그래핀-다결정 실리콘 복합체를 포함하는, 전도체
|
| 12 |
12
제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 따른 그래핀-다결정 실리콘 복합체로 형성된 기판
|
