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투명기판;형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되도록 상기 투명기판 상부에 형성되어 있는 기능층;상기 투명기판과 상기 기능층 사이에 배치되는 산화물층;을 포함하며,상기 산화물층과 접촉하는 상기 기능층 하면은 원형 및 모서리가 곡면을 가지는 다각형의 집합체 형상으로 형성되어 있고,상기 기능층은, 하면이 상기 산화물층과 접촉하는 제1기능층부와,상기 제1기능층부 상면의 가장자리로부터 연장형성된 제2기능층부를 포함하며,상기 기능층의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지고,상기 제1기능층부의 두께는 5nm 내지 1,000nm의 범위를 가지며,상기 제2기능층부의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지고,상기 제2기능층부의 상기 제1기능층부 상면으로부터의 길이는 상기 제1기능층부 두께의 절반 내지 10μm의 범위를 가지며,상기 기능층의 주기에 의하여 홀로그램의 시야각이 결정되고,상기 기능층의 주기는 200nm 내지 50μm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자
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제1항에 있어서,상기 투명기판 상면에 형성되는 접착층을 더 포함하며,상기 산화물층은 상기 접착층 상면에 증착되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 기능층은 알루미늄, 은, 금, 티타늄, 주석, 백금, 텅스텐, 티타튬-텅스텐, 실리콘 산화물, 질화규소, 폴리실리콘, 알루미늄 산화물, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 티타늄 산화물, 아연 산화물, 불화 마그네슘 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 구성된 단일막 또는 상술된 물질 중 금속으로 이루어진 금속박막층과, 비금속으로 이루어진 비금속박막층이 적층된 적층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자
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제5항에 있어서,상기 기능층이 적층막으로 형성되는 경우, 상기 기능층은 상기 금속박막층과 상기 비금속박막층이 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로 기반 회절광학소자
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형성하고자 하는 홀로그램 패턴에 대응되도록 일면에 나노마이크로 구조체가 가공된 스탬프를 준비하는 스탬프 준비단계;상기 스탬프 중 상기 나노마이크로 구조체가 형성된 면에 수직 또는 서로 다른 다수의 방향에서 경사 증착되어 상기 나노마이크로 구조체 상면과 측면에 기능층을 형성하는 기능층 형성단계;상기 기능층 하면에 산화물 증착을 통해 산화물층을 형성하는 산화물층 형성단계; 및상기 기능층 및 상기 산화물층을 투명기판으로 전사하는 전사단계;를 포함하되,상기 기능층 형성단계에서 형성되는 상기 기능층은 하면이 상기 산화물층과 접촉하는 제1기능층부와, 상기 제1기능층부 상면의 가장자리로부터 연장형성된 제2기능층부를 포함하며,상기 산화물층과 접촉하는 상기 기능층 하면은 원형 및 모서리가 곡면을 가지는 다각형의 집합체 형상으로 형성되고,상기 나노마이크로 구조체의 주기에 의하여 홀로그램의 시야각이 결정되며,상기 나노마이크로 구조체의 주기는 200nm 내지 50μm의 범위를 가지고,상기 나노마이크로 구조체의 높이는 10nm 내지 10μm의 범위를 가지며,상기 기능층의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지고,상기 제1기능층부의 두께는 5nm 내지 1,000nm의 범위를 가지며,상기 제2기능층부의 두께는 1nm 내지 1,000nm의 범위를 가지고,상기 제2기능층부의 상기 제1기능층부 상면으로부터의 길이는 상기 제1기능층부 두께의 절반 내지 10μm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자 형성방법
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제7항에 있어서,상기 투명기판 상면에 접착층을 형성하는 접착층 형성단계를 더 포함하며,상기 기능층은 상기 접착층 상면에 전사되는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자 형성방법
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제7항 또는 제9항에 있어서,상기 기능층 형성단계는 상기 나노마이크로 구조체에 금속박막층을 증착하는 금속박막층 증착단계와, 상기 나노마이크로 구조체에 비금속박막층을 증착하는 비금속박막층 증착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노마이크로기반 회절광학소자 형성방법
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