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몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015363
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드 및 그 제조방법에 있어서, 탄화규소 기판과; 상기 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 오믹접촉으로 이루어진 음극(cathode)과; 상기 탄화규소 기판의 전면에 형성되는 몰리브덴(Mo) 금속층으로 이루어진 양극(anode)을 포함하며, 상기 몰리브덴 금속층에 의해 300 내지 600℃의 고온 분위기 하에서 역방향 특성에 있어 전류밀도가 10-8A/cm2 이하로 나타나는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 몰리브덴 금속층으로 이루어지는 양극을 통해 고온에서도 탄화규소와 반응을 하지 않고 전기적 특성 저하가 일어나지 않으며, 또한 고온 분위기 하에서 역방향 특성에 있어 전류밀도가 낮아 산업상 이용 가능성이 우수하다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020170060341 (2017.05.16)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0125713 (2018.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나문경 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 강인호 대한민국 경상남도 진주시 강남로 **,
3 김상철 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 문정현 대한민국 경상남도 김해시 율하*로 **, *
5 방욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 석오균 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0462581-08
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번호 청구항
1 1
몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드에 있어서,탄화규소 기판과;상기 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 오믹접촉으로 이루어진 음극(cathode)과;상기 탄화규소 기판의 전면에 형성되는 몰리브덴(Mo) 금속층으로 이루어진 양극(anode)을 포함하며,상기 몰리브덴 금속층에 의해 300 내지 600℃의 고온 분위기 하에서 역방향 특성에 있어 전류밀도가 10-8A/cm2 이하로 나타나는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드
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제 1항에 있어서,300 내지 600℃의 고온 분위기 하에서 역방향 특성에 있어 의해 초기 누설전류는 10-9A/cm2 이하로 나타나는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드
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제 1항에 있어서,상기 탄화규소 다이오드를 구동시키기 위한 turn-on 전압은 300 내지 600℃의 고온 분위기 하에서 0
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제 1항에 있어서,상기 오믹접촉은, 니켈, 티타늄, 백금 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드
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몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드 제조방법에 있어서,탄화규소 기판을 준비하는 단계와;상기 탄화규소 기판의 후면에 오믹접촉으로 이루어진 음극을 형성하는 단계와;상기 탄화규소 기판의 전면에 몰리브덴 금속층으로 이루어진 양극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 몰리브덴 금속층에 의해 300 내지 600℃의 고온 분위기 하에서 역방향 특성에 있어 전류밀도가 10-8A/cm2 이하로 나타나는 것을 특징으로 하는 몰리브덴 금속층을 포함하는 탄화규소 다이오드 제조방법
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