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광학적으로 투명한 제1 기판상에, 에피택시 성장 방식으로, 제1 밴드갭을 가진 제1 다중양자우물층을 포함하고 질화갈륨(GaN) 기반의 물질로 이루어진 제1 발광층을 형성하는 단계; 제2 기판상에, 에피택시 성장 방식으로, 상기 제1 밴드갭에 비하여 좁은 제2 밴드갭을 가진 제2 다중양자우물층을 포함하고 인화갈륨(GaP) 또는 알루미늄인듐인화갈륨(Al(In)GaP) 기반의 물질로 이루어진 제2 발광층을 형성하는 단계; 상기 제2 발광층과 굴절률이 상이한 하나 이상의 산화물층을 포함하는 접합층을 이용하여 상기 제2 발광층을 상기 제1 발광층상에 접합하는 단계; 상기 접합하는 단계 전 또는 상기 접합하는 단계 후에, 상기 제2 발광층을 패터닝하는 단계; 및 패터닝된 상기 제2 발광층과 접합된 상기 제1 발광층을 패터닝하는 단계를 포함하되,상기 제2 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제2 기판과 상기 제2 다중양자우물층 사이에 희생층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 발광층을 패터닝하는 단계는 상기 접합하는 단계 전에 수행되며, 상기 접합하는 단계 후 상기 제1 발광층을 패터닝하는 단계 전에, 상기 제2 기판을 제거하기 위해 상기 희생층을 식각하는 단계를 더 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 발광층을 패터닝하는 단계는 상기 접합하는 단계 후에 수행되며, 상기 접합하는 단계 후 상기 제2 발광층을 패터닝하는 단계 전에, 상기 제2 발광층상에 위치하는 상기 제2 기판을 식각에 의해 제거하는 단계를 더 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제1 다중양자우물층은 인듐질화갈륨 및 질화갈륨을 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 제1 기판은 사파이어를 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 제2 다중양자우물층은 알루미늄인듐인화갈륨을 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 제2 기판은 갈륨비소를 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 접합하는 단계 전에, 상기 제1 발광층상에, 상기 제1 밴드갭에 비하여 좁고 상기 제2 밴드갭에 비하여 넓은 제3 밴드갭을 가지는 제3 다중양자우물층을 포함하고 질화갈륨(GaN) 기반의 물질로 이루어진 제3 발광층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 접합하는 단계에서 상기 제2 발광층은 상기 제3 발광층을 통하여 상기 제1 발광층에 접합되는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 제3 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제2 발광층상에서 에피택시 성장 방식으로 상기 제3 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 제3 발광층을 형성하는 단계는,제3 기판상에 상기 제3 발광층을 형성하는 단계; 상기 제3 발광층을 상기 제1 발광층상에 접합하는 단계; 및상기 제3 발광층이 상기 제1 발광층상에 접합된 상태에서 상기 제3 기판을 제거하는 단계를 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 제3 다중양자우물층은 인듐질화갈륨 및 질화갈륨을 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1항에 있어서,패터닝된 상기 제1 발광층 또는 패터닝된 상기 제2 발광층에 전기적으로 접촉된 하나 이상의 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 컬러 발광 다이오드의 제조 방법
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광학적으로 투명한 기판;상기 기판상에 위치하며, 제1 밴드갭을 가진 제1 다중양자우물층을 포함하고 질화갈륨(GaN) 기반의 물질로 이루어진 제1 발광층; 상기 제1 발광층상에 위치하며, 상기 제1 밴드갭에 비하여 좁은 제2 밴드갭을 가진 제2 다중양자우물층을 포함하고 인화갈륨(GaP) 또는 알루미늄인듐인화갈륨(Al(In)GaP) 기반의 물질로 이루어진 제2 발광층; 및 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층 사이에 위치하며 상기 제2 발광층과 굴절률이 상이한 하나 이상의 산화물층을 포함하는 접합층을 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드로서,상기 제2 발광층은, 제2 기판과 상기 제2 다중양자우물층 사이에 희생층을 형성한 후 상기 제1 발광층을 패터닝하기 전에 상기 희생층을 식각함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항에 있어서,상기 제1 다중양자우물층은 인듐질화갈륨 및 질화갈륨을 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항에 있어서,상기 제2 다중양자우물층은 알루미늄인듐인화갈륨을 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항에 있어서,상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각은, 상기 제1 다중양자우물층 또는 상기 제2 다중양자우물층의 일 측면에 위치하는 하나 이상의 반도체층을 더 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항에 있어서,상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 사이에 위치하며, 상기 제1 밴드갭에 비하여 좁고 상기 제2 밴드갭에 비하여 넓은 제3 밴드갭을 가지는 제3 다중양자우물층을 포함하고 질화갈륨(GaN) 기반의 물질로 이루어진 제3 발광층을 더 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 17항에 있어서,상기 제3 다중양자우물층은 인듐질화갈륨 및 질화갈륨을 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항에 있어서,전력을 인가하기 위해 상기 제1 발광층 또는 상기 제2 발광층에 전기적으로 접촉된 하나 이상의 전극을 더 포함하는 수직 적층형 컬러 발광 다이오드
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제 13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 수직 적층형 컬러 발광 다이오드를 포함하는 반도체 소자
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