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기판;상기 기판상에 배치되는 버퍼층; 및상기 버퍼층상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물을 포함하고,상기 버퍼층은 복수 개의 절연입자를 포함하고, 상기 절연입자는 산소와 질소를 포함하고,상기 버퍼층의 두께와 절연입자의 두께의 비는 1:0
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제1항에 있어서,상기 절연입자는 상기 기판과 버퍼층의 계면에 배치되는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 절연입자는 상기 버퍼층에 랜덤하게 분산된 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 절연입자는 상기 기판과 버퍼층의 계면에 배치되는 제1절연입자, 및 상기 버퍼층에 랜덤하게 분산된 제2절연입자를 포함하는 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 제1절연입자의 농도는 상기 제2절연입자의 농도보다 높은 반도체 소자
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제4항에 있어서,상기 제2절연입자의 농도와 상기 제1절연입자의 농도의 비는 1:10 내지 1:100인 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 절연입자는 SiON, AlON, TiON, 및 MgON 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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