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크롬 광석을 환원제 및 바인더와 함께 혼합하는 단계;혼합된 혼합물을 성형하여 성형체를 얻는 단계;상기 성형체를 건조하는 단계; 및상기 성형체를 1200~1400℃로 가열하여 예비 환원율이 20~50%인 예비 환원된 크롬 광석을 얻는 단계를 포함하고,상기 환원제는 중량비율로 30% 이상의 Si, 나머지 SiC 및 불가피한 불순물을 포함하는 실리콘 슬러지이며,상기 혼합물은 중량비율로, 환원제: 22~33%, 바인더: 5~15%, 나머지 크롬 광석 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 예비 환원된 크롬 광석의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 슬러지 중 Si는 30~50% 포함되는 예비 환원된 크롬 광석의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 바인더는 바인더 전체 함량을 기준으로 전분: 5~35%, 벤토나이트: 30~70% 및 석회: 25~45%의 비율로 포함하는 예비 환원된 크롬 광석의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 성형체의 직경은 15~25 mm인 예비 환원된 크롬 광석의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 건조하는 단계는 70~150℃의 온도에서 8~20시간 실시하는 예비 환원된 크롬 광석의 제조방법
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환원제: 22~33%, 바인더: 5~15%, 나머지 크롬 광석 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 성형체를 예비 환원하여 얻은 예비 환원된 크롬 광석으로서,하기 수학식 1로 표시되는 예비 환원율이 20~50% 이고,상기 환원제는 중량비율로 30% 이상의 Si, 나머지 SiC 및 불가피한 불순물을 포함하는 실리콘 슬러지인 예비 환원된 크롬 광석
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제 8 항에 있어서, 바인더는 바인더 전체 함량을 기준으로 전분: 5~35%, 벤토나이트: 30~70% 및 석회: 25~45%의 비율로 포함하는 예비 환원된 크롬 광석
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