1 |
1
하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체와, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체가 산 촉매 하에서 축합 중합 및 가교 결합된 고분자형 열가교성 정공 전달 물질이되, 아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
2 |
2
제1항에 있어서,Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 벤젠, 피리딘, 피롤, 퓨란 및 싸이오펜으로 이루어지는 비융합고리형 방향족 치환기; 헤테로 비융합고리형 방향족 치환기; 나프탈렌, 안트라센, 트라이페닐렌, 파이렌 및 페릴렌으로 이루어지는 융합고리 방향족 치환기; 및 카바졸, 플루오렌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜 및 스파이로플루오렌으로 이루어지는 다이벤조형 융합고리 치환기 중에서 선택되고,R 및 R1 내지 R6은 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1-C4의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C12의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C12의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C12의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 아릴아민, 치환 또는 비치환된 융합된 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기, 치환 또는 비치환된 싸이올기, 치환 또는 비치환된 설폭사이드 및 설폰기로 이루어지는 군으로부터 선택되고,CoM은 하기 화학식 CoM-1 내지 화학식 CoM-39로 이루어진 군으로부터 선택되고,A는 sp3 혼성을 하는 탄소 또는 실리콘이고,m 및 n은 각각 5~100의 정수이고,o는 0~5의 정수이고, p는 2~5의 정수이며,x, y 및 z는 각각 0~5의 정수인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 화학식 2의 고분자 내의 아민 단량체의 구조는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-9로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제1항에 있어서,화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3의 아민을 포함하는 화합물은 벤젠기의 오르쏘 또는 파라 위치에 반응성 수소를 가지고, 상기 반응성 수소는 3차 알코올을 포함하는 화합물의 OH기의 개수보다 같거나 많은 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
7 |
7
제1항에 있어서,상기 열가교성 정공 전달 물질은 분자량이 2000 이상인 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자형 열가교성 정공 전달 물질
|
8 |
8
기판; 상기 기판 상의 제1전극; 상기 제1전극 상의 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 제1항의 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층;을 포함한 유기발광다이오드
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1층은 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
|
10 |
10
제8항에 있어서,상기 유기발광다이오드는 상기 제1층 상부에 형성된 발광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
|
11 |
11
기판 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 아민을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물과, 화학식 4, 화학식 5 및 화학식 6으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 3차 알코올을 포함하는 적어도 하나의 고분자 또는 저분자 단위체 화합물을 용매에 넣고, 산 촉매를 첨가한 제1층 형성용 조성물을 용액 공정을 통해 성막한 후, 가교 결합시킬 수 있는 조건 하에서 열가교시켜 열가교성 정공 전달 물질을 포함한 제1층을 형성하는 단계; 및상기 제1층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하되,아민을 포함하는 화합물 또는 3차 알코올을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 고분자인 것을 특징으로 하는 제8항의 유기발광다이오드의 제조방법
|
12 |
12
제11항에 있어서,상기 용매는 클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름 및 테트라히드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|
13 |
13
제11항에 있어서,상기 산 촉매는 폼산, 아세트산, 프로피온산(Propionic acid), 부티르산(Butyric acid), 발레르산(Valeric acid), 옥살산(Oxalic acid), 벤조산(Benzoic acid), 카본산(Carbonic acid), 플루오로아세트산(Fluoroacetic acid), 다이플루오로아세트산(Difluoroacetic acid), 트리플루오로아세트산(Trifluoroacetic acid), 클로로아세트산(Chloroacetic acid), 디클로로아세트산(Dichloroacetic acid), 트리클로로아세트산(Trichloroacetic acid), 이소부티르산(Isobutyric acid), HF, HCl, HBr, HI, 황산 및 루이스 산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|
14 |
14
제11항에 있어서,상기 용액 공정은 스핀 코팅, 잉크젯 코팅 및 노즐젯 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|
15 |
15
제11항에 있어서,상기 열가교는 50~150℃의 저온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|
16 |
16
제11항에 있어서,상기 제1층은 정공수송층인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|
17 |
17
제11항에 있어서,상기 제1층은 열가교 후, 용매에 불용성인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
|