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송수신 회로 및 수신 회로

  • 기술번호 : KST2018015652
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 송수신 회로는, 송신 모드에서 송신 신호에 응답해 전송 라인을 풀업 구동하고, 수신 모드에서 상기 전송 라인의 전압 레벨에 따라 온/오프되는 제1NMOS 트랜지스터; 및 상기 송신 모드에서 상기 송신 신호에 응답해 상기 전송 라인을 풀다운 구동하고, 상기 수신 모드에서 상기 전송 라인의 전압 레벨에 따라 온/오프되는 제1PMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다.
Int. CL H04L 25/02 (2006.01.01) H04L 25/03 (2006.01.01)
CPC H04L 25/0264(2013.01) H04L 25/0264(2013.01)
출원번호/일자 1020170064153 (2017.05.24)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0128707 (2018.12.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.04.22)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고한곤 대한민국 서울특별시 관악구
2 정덕균 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0495962-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
5 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0413011-51
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
송신 모드에서 송신 신호에 응답해 전송 라인을 풀업 구동하고, 수신 모드에서 상기 전송 라인의 전압 레벨에 따라 온/오프되는 제1NMOS 트랜지스터; 및상기 송신 모드에서 상기 송신 신호에 응답해 상기 전송 라인을 풀다운 구동하고, 상기 수신 모드에서 상기 전송 라인의 전압 레벨에 따라 온/오프되는 제1PMOS 트랜지스터를 포함하는 송수신 회로
2 2
제 1항에 있어서,상기 송신 모드에서 상기 제1NMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제1PMOS 트랜지스터의 게이트에는 상기 송신 신호가 전달되고,상기 수신 모드에서 상기 제1NMOS 트랜지스터의 게이트에는 제1바이어스 전압이 인가되고, 상기 제1PMOS 트랜지스터의 게이트에는 제2바이어스 전압이 인가되는송수신 회로
3 3
제 2항에 있어서,상기 제1NMOS 트랜지스터의 드레인단과 풀업 전압단 사이에 연결되는 제1저항; 및상기 제1PMOS 트랜지스터의 드레인단과 풀다운 전압단 사이에 연결되는 제2저항을 더 포함하고,상기 제1저항과 상기 제2저항은 상기 송신 모드에서 바이패스되는송수신 회로
4 4
제 3항에 있어서,상기 제1NMOS 트랜지스터의 드레인단의 전압에 응답해 예비 수신 신호를 풀업 구동하는 제2PMOS 트랜지스터; 및상기 제1PMOS 트랜지스터의 드레인단의 전압에 응답해 상기 예비 수신 신호를 풀다운 구동하는 제2NMOS 트랜지스터를 더 포함하는 송수신 회로
5 5
제 4항에 있어서,상기 예비 수신 신호를 반전해 수신 신호로 출력하기 위한 인버터를 더 포함하는 송수신 회로
6 6
제 4항에 있어서,상기 수신 모드에서 상기 전송 라인의 전압 레벨이 높아지면 상기 제1PMOS 트랜지스터가 턴온되고, 상기 전송 라인의 전압 레벨이 낮아지면 상기 제1NMOS 트랜지스터가 턴온되는송수신 회로
7 7
풀업 전압단과 제1노드 사이에 연결되는 제1저항;게이트에 제1바이어스 전압이 인가되고, 상기 제1노드에 드레인이 전송 라인에 소스가 연결되는 제1NMOS 트랜지스터;게이트에 제2바이어스 전압이 인가되고, 제2노드에 드레인이 전송 라인에 소스가 연결되는 제1PMOS 트랜지스터; 및풀다운 전압단과 상기 제2노드 사이에 연결되는 제2저항을 포함하는 수신 회로
8 8
제 7항에 있어서,상기 제1노드의 전압에 응답해 예비 수신 신호를 풀업 구동하는 제2PMOS 트랜지스터; 및상기 제2노드의 전압에 응답해 상기 예비 수신 신호를 풀다운 구동하는 제2NMOS 트랜지스터를 더 포함하는 수신 회로
9 9
제 8항에 있어서,상기 예비 수신 신호를 반전해 수신 신호로 출력하기 위한 인버터를 더 포함하는 수신 회로
10 10
제 7항에 있어서,상기 전송 라인으로 하이 신호가 수신되는 경우에, 상기 제1PMOS 트랜지스터는 턴온되고 상기 제1NMOS 트랜지스터는 오프되고,상기 전송 라인으로 로우 신호가 수신되는 경우에, 상기 제1NMOS 트랜지스터는 턴온되고 상기 제1PMOS 트랜지스터는 오프되는수신 회로
11 11
풀업 전압단과 제1노드 사이에 연결되고, 송신 모드에서는 바이패스되는 저항;상기 송신 모드에서는 송신 신호를 게이트에 인가받고, 수신 모드에서는 제1바이어스 전압을 게이트에 인가받으며, 드레인이 상기 제1노드에 소스가 전송 라인에 연결된 제1NMOS 트랜지스터;상기 송신 모드에서는 턴온 상태를 유지하고, 상기 수신 모드에서는 상기 전송 라인의 전압을 게이트에 인가받으며, 드레인이 상기 전송 라인에 소스가 제2노드에 연결된 제2NMOS 트랜지스터; 및상기 송신 모드에서는 상기 송신 신호를 반전한 신호를 게이트에 인가받고, 수신 모드에서는 제2바이어스 전압을 게이트에 인가받으며, 드레인이 상기 제2노드에 소스가 풀다운 전압단에 연결된 제3NMOS 트랜지스터를 포함하는 송수신 회로
12 12
제 11항에 있어서,상기 수신 모드에서 상기 전송 라인으로 하이 신호가 수신되는 경우에, 상기 제1NMOS 트랜지스터는 오프되고, 상기 제2NMOS 트랜지스터는 턴온되고
13 13
제 12항에 있어서,상기 예비 수신 노드로 전류를 공급하는 전류원;상기 제1노드의 전압에 응답해 상기 예비 수신 노드로부터 전류를 싱킹하는 제4NMOS 트랜지스터; 및상기 예비 수신 노드의 신호를 반전해 수신 신호로 출력하기 위한 인버터를 더 포함하는 송수신 회로
14 14
풀업 전압단과 제1노드 사이에 연결되는 저항;제1바이어스 전압을 게이트에 인가받으며, 드레인이 상기 제1노드에 소스가 전송 라인에 연결된 제1NMOS 트랜지스터; 및상기 전송 라인의 전압을 게이트에 인가받고, 상기 전송 라인의 전압에 응답해 상기 전송 라인을 풀다운 구동하는 제2NMOS 트랜지스터를 포함하는 수신 회로
15 15
제 14항에 있어서,제2바이어스 전압의 제어에 따라 상기 제2NMOS 트랜지스터가 싱킹하는 전류량을 제어하기 위한 제3NMOS 트랜지스터를 더 포함하는 수신 회로
16 16
제 14항에 있어서,상기 예비 수신 노드로 전류를 공급하는 전류원;상기 제1노드의 전압에 응답해 상기 예비 수신 노드로부터 전류를 싱킹하는 제4NMOS 트랜지스터; 및상기 예비 수신 노드의 신호를 반전해 수신 신호로 출력하기 위한 인버터를 더 포함하는 수신 회로
17 17
제 14항에 있어서,상기 전송 라인으로 하이 신호가 수신되는 경우에, 상기 제1NMOS 트랜지스터는 오프되고 상기 제2NMOS 트랜지스터는 턴온되고
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10498385 US 미국 FAMILY
2 US20180343028 US 미국 FAMILY
3 US20200067562 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10498385 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018343028 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2020067562 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.