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ZnTe 및 ZnSe 중에서 서로 다른 하나의 화합물로 각각 선택되어 코어 및 쉘로서 순차 적층된 ZnTe/ZnSe 또는 ZnSe/ZnTe 코어/쉘 다층구조를 포함하는 반도체 나노입자의 제조방법에 있어서,CdTe 및 CdSe 중에서 서로 다른 하나의 화합물로 각각 선택되어 코어 및 쉘로서 순차 적층된 CdTe/CdSe 또는 CdSe/CdTe 코어/쉘 다층구조의 제1반도체 나노입자를 합성하고 상기 제1반도체 나노입자가 분산된 제1반도체 나노입자 분산용액을 제조하되 상기 제1반도체 나노입자 분산용액은 올레일아민을 함유하는 단계와;구리 전구체 물질이 분산된 용액을 불활성 기체 환경하에서 상기 제1반도체 나노입자 분산용액에 혼합함으로써 상기 제1반도체 나노입자에 함유된 양이온 Cd2+를 Cu+로 1차 양이온 교환하고 상기 CdTe/CdSe 또는 CdSe/CdTe 코어/쉘 다층구조가 Cu2Te/Cu2Se 또는 Cu2Se/Cu2Te 코어/쉘 다층구조로 변환된 제2반도체 나노입자를 생성하고 상기 제2반도체 나노입자가 분산된 제2반도체 나노입자 분산용액을 제조하는 단계와;아연 전구체 물질이 분산된 용액을 불활성 기체 환경하에서 상기 제2반도체 나노입자 분산용액에 혼합함으로써 상기 제2반도체 나노입자에 함유된 양이온 Cu+를 Zn2+로 2차 양이온 교환하고 상기 Cu2Te/Cu2Se 또는 Cu2Se/Cu2Te 코어/쉘 다층구조가 ZnTe/ZnSe 또는 ZnSe/ZnTe 코어/쉘 다층구조로 변환된 제3반도체 나노입자를 생성하는 단계를 포함하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 구리 전구체 물질은 테트라키스(아세토니트릴)구리(I) 헥사플루오로포스페이트(Tetrakis(acetonitrile)copper(I) hexafluorophosphate: [Cu(CH3CN)4]PF6), Cu(I,II) 염화물, Cu(I,II) 요오드화물, Cu(I,II) 브롬화물, Cu(I, II) 아세테이트, Cu(I,II) 아세틸아세테이트 및 Cu(I,II) 스테아레이트로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체 물질이 분산된 용액은 상기 제2반도체 나노입자의 양이온 Cu+의 총량에 비해 과잉의 Zn2+ 함량을 갖는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체 물질이 분산된 용액은 20~400℃의 온도범위로 되는 제조방법
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제6항에 있어서,상기 아연 전구체 물질이 분산된 용액의 Zn2+ 함량은 상기 아연 전구체 물질이 분산된 용액의 Zn2+ 이온 총량 : 상기 제2반도체 나노입자의 Cu+ 이온 총량이 0
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제1항에 있어서,상기 아연 전구체 물질은 염화아연(ZnCl2), 이에틸아연(diethylzinc), 아세트산 아연(zinc acetate), 아연산화물(zinc oxide), 아연 아세틸아세테이트(zinc acetylacetate), 요오드화 아연(zinc iodide), 브롬화 아연(zinc bromide), 탄산 아연(zinc carbonate) 및 시트르산 아연(zinc citrate)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1반도체 나노입자를 합성하는 단계는 CdTe 및 CdSe 중의 하나의 전구체 물질을 불활성 기체 환경하에서 계면활성제 및 용매와 100~400℃에서 혼합하여 코어 반도체 나노입자를 합성하는 단계와;CdTe 및 CdSe 중의 나머지 다른 하나의 전구체 물질을 불활성 기체 환경하에서 계면활성제 및 용매와 100~300℃에서 혼합하고 상기 코어 반도체 나노입자에 적가하여 상기 CdTe/CdSe 또는 CdSe/CdTe 코어/쉘 다층구조의 제1반도체 나노입자를 제조하는 단계를 포함하는 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3반도체 나노입자의 형상 및 크기는 각각 상기 제1반도체 나노입자 형상 및 크기가 동일하고 상기 제1반도체 나노입자와 크기 및 형상을 조절함으로써 조절가능한 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3반도체 나노입자의 형광파장은 상기 제1반도체 나노입자의 크기 및 형상 중의 하나 이상을 조절함으로써 조절되는 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제3반도체 나노입자의 코어 및 쉘의 각 형상은 구상, 로드상 및 판상 중의 하나로 선택되는 제조방법
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