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사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2018015728
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용융 붕사(borax) 내로 사파이어 웨이퍼를 침지시키는 제 1 단계; 및 상기 사파이어 웨이퍼를 상기 용융 붕사로부터 회수한 후 용융 알루미늄 내로 침지시켜 상기 사파이어 웨이퍼의 표면 상에 잔류하는 붕사를 제거하는 제 2 단계를 포함하는, 사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01) H01L 21/30604(2013.01)
출원번호/일자 1020170065341 (2017.05.26)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0129393 (2018.12.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.26)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규섭 대한민국 경기도 과천시 별양
2 김기훈 대한민국 인천광역시 연수구
3 김경호 대한민국 강원도 원주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0504697-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0007106-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0051703-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0293437-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0293436-45
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0474072-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0901940-96
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0901941-31
11 등록결정서
Decision to grant
2020.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0060939-61
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번호 청구항
1 1
용융 붕사(borax) 내로 사파이어 웨이퍼를 침지시키는 제 1 단계; 및상기 사파이어 웨이퍼를 상기 용융 붕사로부터 회수한 후 알루미늄 용탕 내로 침지시켜 상기 사파이어 웨이퍼의 표면 상에 잔류하는 붕사를 제거하는 제 2 단계를 포함하고,상기 제 2 단계는,상기 사파이어 웨이퍼를 상기 알루미늄 용탕 내에서 이동시키거나 진동시키는 단계를 더 포함하며,상기 제 2 단계는,상기 제 1 단계를 완료한 후 상기 사파이어 웨이퍼의 표면에 잔류하는 붕사의 응고가 완료되기 전 후 수행되는,사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계 이후에 상기 사파이어 웨이퍼를 지그 내부로 수용하고 냉각시키는 단계를 더 포함하는, 사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계를 수행한 후 상기 제 2 단계 수행 전에 상기 사파이어 웨이퍼는 750℃ 내지 900℃의 온도 범위 내에서 유지되는 구간을 포함하는, 사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계 및 상기 제 2 단계 중 어느 하나 이상은 불활성 분위기 또는 진공 분위기에서 수행되는, 사파이어 웨이퍼의 표면처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)사파이어테크놀로지 우수기술연구센터(ATC)사업 1,500N급 사파이어 단결정 소재 적용 광학/디스플레이 응용기술 및 부품 개발