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태양광-블라인드 UV-C 광센서에 있어서,고분자 또는 쿼츠로 이루어진 베이스 기재 상에 배치된 채널층; 및상기 채널층과 접촉하고, 서로 이격되어 배치되며, 이격된 영역을 통해서 상기 채널층의 적어도 일부를 노출시키는 2개의 전극들을 포함하고,상기 채널층은 3nm 이상 50nm 이하의 두께를 갖는 비결정질 산화 갈륨(III)(Ga2O3) 박막을 포함하고, 상기 2개의 전극들의 이격된 영역에 의해 정의되는 채널은 40 ㎛의 이하의 길이 및 60 ㎛ 이하의 폭을 가지며,상기 태양광-블라인드 UV-C 광센서의 응답 속도가 1 μs 이하인 것을 특징으로 하는,태양광-블라인드 UV-C 광센서
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제1항에 있어서,상기 채널층은 원자층 증착법을 통해 제조된 것을 특징으로 하는,태양광-블라인드 UV-C 광센서
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제1항에 있어서,상기 태양광-블라인드 UV-C 광센서는 200 nm 내지 300 nm의 파장의 광을 선택적으로 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는,태양광-블라인드 UV-C 광센서
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제1항에 있어서,상기 2개의 전극 각각은 서로 독립적으로 백금(Pt) 또는 크롬/골드(Cr/Au)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 태양광-블라인드 UV-C 광센서
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제1항에 있어서,상기 채널의 길이는 20 내지 40 ㎛이고,상기 채널의 너비는 40 내지 60㎛인 것을 특징으로 하는, 태양광-블라인드 UV-C 광센서
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태양광-블라인드 UV-C 광센서를 제조하는 방법에 있어서,고분자 또는 쿼츠로 이루어진 베이스 기재 상에 230℃ 내지 300℃에서 수행되는 원자층 증착법을 이용하여 비결정질 산화 갈륨(III)(Ga2O3) 박막으로 이루어진 채널층을 형성하는 단계; 및각각이 상기 채널층과 접촉하고 서로 이격되어 배치되며 이격된 영역을 통해서 채널층을 노출시키는 2개의 전극들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 2개의 전극들의 이격된 영역에 의해 정의되는 채널은 40 ㎛ 이하의 길이 및 60 ㎛ 이하의 폭을 가지며,상기 태양광-블라인드 UV-C 광센서의 응답 속도가 1 μs 이하인 것을 특징으로 하는,태양광-블라인드 UV-C 광센서의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 채널의 길이는 20 내지 40 ㎛이고,상기 채널의 너비는 40 내지 60㎛인 것을 특징으로 하는, 태양광-블라인드 UV-C 광센서의 제조 방법
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