| 1 |
1
양전자 빔 집속장치에 있어서,제 1 차 에너지의 양전자 빔이 입사되고, 상기 입사된 제 1 차 에너지의 양전자 빔을 제 2 차 에너지의 양전자 빔으로 감속시키는 감속재 박막; 및상기 감속재 박막과 소정거리 이격되고, 상기 감속재 박막을 둘러싸도록 형성되며, 상기 감속재 박막의 말단부와 대응되는 위치에 형성된 홀(aperture)을 포함하는 서프레서를 포함하되, 상기 감속재 박막의 말단부는 첨예하도록 형성되고 상기 첨예한 말단부 및 상기 홀을 통해 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔을 집속시키며,방사선 동위원소의 β+붕괴에 의해 제 1 에너지의 양전자를 방출하여, 상기 감속재 박막을 향해 입사시키는 양전자원을 더 포함하고, 상기 입사된 상기 제 1 에너지의 양전자에 의해, 상기 감속재 박막은 제 2 에너지의 양전자를 재방출시키며,상기 감속재 박막 및 상기 서프레서에 바이어스 전압을 인가시키는 전압 인가 장치를 더 포함하고,상기 전압 인가장치는 상기 감속재 박막 및 상기 서프레서에 양이나 음의 바이어스 전압을 인가시키며,상기 감속재 박막으로부터 재방출된 상기 제 2 에너지의 양전자는상기 서프레서에 인가된 양의 바이어스 전압에 의한 쿨롱 척력에 의해 상기 홀을 통해 빠져나오되, 상기 홀의 외부에 빔 교차를 통해 생성되는 크로스 오버 포인트를 기반으로 크로스 오버되어 상기 홀의 직경과 비례하는 스팟 사이즈를 가지는 양전자 빔을 형성하는 것인,양전자 빔 집속장치
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 감속재 박막은 원뿔 형상으로 형성된 것인, 양전자 빔 집속장치
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 감속재 박막은 1㎛ 이하의 두께를 가지는 텅스텐 박막으로 형성된 것인, 양전자 빔 집속장치
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
양전자 현미경에 있어서, 제 1 차 에너지의 양전자를 방출시키는 양전자원;상기 양전자원의 전면에 배치되어, 상기 양전자원으로부터 방출된 제 1 에너지의 양전자에 의해 형성된 제 1 차 에너지의 양전자 빔을 제 2 차 에너지의 양전자 빔으로 감속 및 집속시키는 양전자 빔 집속장치;상기 양전자 빔 집속장치의 전면에 배치되어 상기 양전자 빔 집속 장치에 의해 감속 및 집속된 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔을 재 집속하는 콘덴싱 렌즈;상기 콘덴싱 렌즈에 의해 재집속된 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔을 시료에 조사하는 대물렌즈; 및 상기 콘덴싱 렌즈와 상기 대물렌즈 사이에 배치되어 상기 시료에 형성된 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔의 초점의 위치를 제어하는 스캔 코일을 포함하되, 상기 양전자 빔 집속장치는 상기 입사된 제 1 차 에너지의 양전자 빔을 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔으로 감속시키는 감속재 박막; 및상기 감속재 박막과 소정거리 이격되고, 상기 감속재 박막을 둘러싸도록 형성되며, 상기 감속재 박막의 말단부와 대응되는 위치에 형성된 홀(aperture)을 포함하는 서프레서를 포함하되, 상기 감속재 박막의 말단부는 첨예하도록 형성되고 상기 첨예한 말단부 및 상기 홀을 통해 상기 제 2 차 에너지의 양전자 빔을 집속시켜 교차점(cross-point)을 형성시키는 양전자 현미경
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 감속재 박막은 원뿔 형상으로 형성된 것인, 양전자 현미경
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 감속재 박막은 1㎛ 이하의 두께를 가지는 텅스텐 박막으로 형성된 것인, 양전자 현미경
|
| 10 |
10
제 7 항에 있어서, 상기 양전자원은 방사선 동위원소의 β+붕괴에 의해 제 1 에너지의 양전자를 방출하여, 상기 감속재 박막을 향해 입사시키는 것인, 양전자 현미경
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 감속재 박막은 상기 입사된 상기 제 1 에너지의 양전자에 의해, 제 2 에너지의 양전자를 재방출 시키는 것인, 양전자 현미경
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 감속재 박막 및 상기 서프레서에 바이어스 전압을 인가시키는 전압인가 장치를 더 포함하며, 상기 전압인가 장치는 상기 감속재 박막 및 상기 서프레서에 양의 바이어스 전압을 인가시키는 것인, 양전자 현미경
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 감속재 박막으로부터 재 방출된 상기 제 2 에너지의 양전자는상기 서프레서에 인가된 양의 바이어스 전압에 의한 쿨롱 척력에 의해 상기 홀을 통해 빠져나오되, 상기 홀의 외부에 빔 교차를 통해 생성되는 크로스 오버 포인트를 기반으로 크로스 오버되어 상기 홀의 직경과 비례하는 스팟 사이즈를 가지는 양전자 빔을 형성하는 것인, 양전자 현미경
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
제 7 항에 있어서,상기 시료에서 방출되는 2차 전자를 검출하는 2차 전자 검출기를 더 포함하는 것인, 양전자 현미경
|
