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고온 안정성 압력센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018015836
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온 안정성 압력센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 압력도입부를 포함하는 다이아프램; 상기 다이아프램 상에 배치된 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 배치된 압저항 전극; 상기 압저항 전극을 보호하는 제2 절연막; 및 상기 제2 절연막 상에 배치되고 상기 압저항 전극과 연결된 금속 배선을 포함하되, 상기 압저항 전극은, 상기 제1 절연막 상에 순차적으로 적층된 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하고, 상기 제1 도전층은 Cr을 포함하고, 상기 제2 도전층은 80중량%의 Ni 및 20중량%의 Cr을 포함하는 합금을 포함하는, 고온 안정성 압력센서를 제공한다.
Int. CL H01L 41/113 (2006.01.01) G01L 9/00 (2006.01.01) H01L 41/18 (2006.01.01) H01L 41/047 (2006.01.01) H01L 41/47 (2013.01.01)
CPC H01L 41/113(2013.01) H01L 41/113(2013.01) H01L 41/113(2013.01) H01L 41/113(2013.01) H01L 41/113(2013.01)
출원번호/일자 1020170064711 (2017.05.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0130036 (2018.12.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190065118;
심사청구여부/일자 Y (2017.05.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경근 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0500104-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0103932-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0568118-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1037334-48
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1037331-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0123172-46
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2019.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0274327-87
9 보정요구서
Request for Amendment		 2019.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0050862-98
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2019.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0311485-95
11 법정기간연장승인서
 2019.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0059154-35
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0409921-10
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0410126-64
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0308800-50
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0565623-34
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
압력도입부를 포함하는 다이아프램;상기 다이아프램 상에 배치된 제1 절연막;상기 제1 절연막 상에 배치된 압저항 전극;상기 압저항 전극을 보호하는 제2 절연막; 및상기 제2 절연막 상에 배치되고 상기 압저항 전극과 연결된 금속 배선을 포함하되,상기 압저항 전극은, 상기 제1 절연막 상에 순차적으로 적층된 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하고,상기 제1 도전층은 Cr을 포함하고,상기 제2 도전층은 80중량%의 Ni 및 20중량%의 Cr을 포함하는 합금을 포함하는, 고온 안정성 압력센서
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 도전층은 상기 압저항 전극의 전체 두께의 1/100 ~ 1/10의 두께를 갖는 씨드층으로 적층되고,상기 제2 도전층은 압력 센서의 작동 범위에 따라 설정된 두께로 적층되는, 고온 안정성 압력센서
3 3
제1항에 있어서,상기 압저항 전극은 25℃ ~ 460℃의 측정 범위에서 온도저항계수 값이 100 ppm/℃ 이하인, 고온 안정성 압력센서
4 4
(a) 다이아프램을 구성하는 기판 상에 제1 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 절연막 상에 Cr 박막 및 NiCr 박막이 적층된 압저항 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 압저항 전극 상에 제2 절연막을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제2 절연막 상에 상기 압저항 전극과 연결되는 금속 배선을 형성하는 단계;를 포함하는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 (b) 단계는,상기 제1 절연막 상에 섀도우 마스크를 정렬하여 배치하는 단계;상기 섀도우 마스크에 바이어스를 인가하는 단계; 상기 섀도우 마스크를 이용하여 제1 절연막 상에 제1 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 섀도우 마스크를 이용하여 제1 금속층 상에 제2 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 섀도우 마스크는 바이어스가 인가되는 금속 재질로 이루어지는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 섀도우 마스크는 복수의 개별 마스크로 분할되며, 복수의 개별 마스크가 모자이크 형태로 배열되는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 제1 금속층을 형성하는 단계에서는 Cr 박막으로 형성하되, Cr 타겟을 이용하여 스퍼터 반응기에서 상기 압저항 전극의 전체 두께의 1/100 ~ 1/10 두께를 갖는 씨드층을 형성하는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 제2 금속층을 형성하는 단계에서는 상기 제1 금속층을 형성한 후 진공 브레이크 없이 상기 제1 금속층 상에 80중량%의 Ni 및 20중량%의 Cr을 포함하는 합금으로 NiCr 박막을 형성하는, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 압저항 전극은 25℃ ~ 460℃의 측정 범위에서 온도저항계수 값이 100 ppm/℃ 이하인, 고온 안정성 압력센서의 제조 방법
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1 KR102142042 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 나노-소재기술개발사업 SIC 기반 극한환경형 센서용 공정플랫폼 기술개발