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투명전극의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015882
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 투명전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판을 준비하는 단계; 및 초음파 분무 열분해에 의해 기판 상에 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막을 형성하는 단계는: 상기 기판을 가열하는 단계 및 상기 가열된 기판에 대해 수평 방향으로 고농도의 산소를 포함하는 캐리어 가스를 이용하여 초음파 분무된 전구체 용액을 도입하는 단계를 포함하는 것인, 투명전극의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 1/08 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170065908 (2017.05.29)
출원인 서울과학기술대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1968818-0000 (2019.04.08)
공개번호/일자 10-2018-0130171 (2018.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20190412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안효진 대한민국 서울특별시 노원구
2 구본율 대한민국 경기도 오산시 대원로 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울과학기술대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0508535-75
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0462781-14
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0896449-25
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0896450-72
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0074862-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0220451-31
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.03.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0220452-87
8 등록결정서
Decision to Grant Registration
2019.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0242470-50
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번호 청구항
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기판을 준비하는 단계; 및 초음파 분무 열분해에 의해 기판 상에 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막을 형성하는 단계는:상기 기판을 가열하는 단계 및 상기 가열된 기판에 대해 수평 방향으로 초음파 분무된 전구체 용액을 도입하는 단계를 포함하고,상기 초음파 분무된 전구체 용액의 도입은, 50 % 이상의 산소를 포함하는 캐리어 가스를 이용하는 것이고, 상기 캐리어 가스는, 상기 기판에 대해 수평방향으로 흐르고, 상기 기판을 가열하는 단계는, 400 ℃ 초과 및 500 ℃ 이하의 온도로 가열되고,상기 초음파 분무된 전구체 용액을 도입하는 단계는, 상기 온도로 가열된 기판 상에 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막을 형성하고,상기 캐리어 가스의 흐름 속도는 5 L/min 내지 50 L/min이고,상기 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막은, 5
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삭제
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제1항에 있어서,상기 기판은 4 rpm 내지 20 rpm의 속도로 회전하는 것인, 투명전극의 제조방법
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)솔라세라믹 소재부품기술개발 과제명 투명 전도성 나노융합소재를 적용한 저온공정기반 박막형 히터 기술 개발