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하기 화학식으로 표시되는 N,N,N,N,N,N-헥사키스(2-하이드록시에틸)헥산-1,6-디아미늄 브로마이드 (N,N,N,N,N,N-hexakis(2-hydroxyethyl)hexane-1,6-diaminium bromide)를 포함하는 버퍼층(buffer layer)을 음극(cathode) 및 활성층(active layer) 사이에 구비하는 고분자 태양전지:
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제1항에 있어서,상기 N,N,N,N,N,N-헥사키스(2-하이드록시에틸)헥산-1,6-디아미늄 브로마이드(N,N,N,N,N,N-hexakis(2-hydroxyethyl)hexane-1,6-diaminium bromide)은,아세토니트릴 중에서 1,4-디브로모부탄 및 트리에탄올아민의 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 두께가 2 내지 10 nm 인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제1항에 있어서,ITO 기판;상기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 버퍼층;폴리 [[4,8-비스[(2-에틸헥실)옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디일][3-플루오로-2-[(2-에틸헥실)카르보닐]티에노[3,4-b]티오펜디일[Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]], PTB7] 및 [6,6]-페닐-C71-부틸산 메틸 에스테르([6,6]-Phenyl C71 butyric acid methyl ester, PC71BM))를 포함하는 활성층;산화몰리브덴(MoO3)를 포함하는 금속산화물층; 및은(Ag) 전극층;이 순차적으로 적층된 인버티드(inverted) 구조인 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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제5항에 있어서,상기 ITO 기판 및 버퍼층 사이에 형성된 산화 아연층(ZnO layer)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 태양전지
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