| 1 |
1
제1 전극, 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 적어도 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광소자에 있어서, 상기 유기물층은,상기 제1 전극 상에 형성되는 정공 수송층;상기 정공 수송층 상에 형성되고, 삼중항 엑시톤에 의해 인광 발광되는 발광 물질을 포함하는 발광층;상기 발광층 상에 형성되는 전자 수송층; 및상기 발광층의 일면 또는 양면에 형성되는 계면 보호층(Interface protection layer)을 포함하고, 상기 계면 보호층은 상기 발광층 계면의 이온성 분자와 발광 물질 간의 전기 화학적 반응을 억제하는 비활성 물질을 포함하여, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 어느 하나의 삼중항 에너지를 감소시키는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 계면 보호층의 LUMO 에너지의 절대값은 상기 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층의 LUMO 에너지의 절대값 미만인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 계면 보호층의 밴드갭 에너지는 상기 정공 수송층, 상기 발광층 및 상기 전자 수송층의 밴드갭 에너지 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 계면 보호층은 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 비활성 물질은 벤젠(benzene)계열의 유기 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광소자
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 비활성 물질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 전계 발광소자:[화학식 1](여기서, n은 1 내지 6의 정수이고, Ar은 치환 또는 비치환의 탄소수 탄소수 3 내지 40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아르알킬이기 및 치환 또는 비치환 실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 Ar의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아르알킬이기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 40의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된다)
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 비활성 물질은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 유기 전계 발광소자:[화학식 2](여기서, Ar1 내지 Ar3는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환의 탄소수 탄소수 3 내지 40의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 치환 또는 비치환의 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아르알킬이기 및 치환 또는 비치환 실릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 Ar1 내지 Ar3의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 니트로기, 할로겐기, 히드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 2 내지 24의 알키닐기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로알킬기, 탄소수 7 내지 30의 아르알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 탄소수 3 내지 30의 헤테로아르알킬이기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아릴아미노기, 탄소수 6 내지 30의 아르알킬아미노기, 탄소수 2 내지 24의 헤테로 아릴아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 40의 시클로알킬기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴실릴기 및 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기로 이루어진 군으로부터 선택된다)
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 비활성 물질은 하기 화학식 3 내지 화학식 7로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 유기 전계 발광소자:[화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7]
|
