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다공성 나노구조체; 및상기 구조체 상에 형성된 이리듐 산화물층; 을 포함하는, 신경전극
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제1항에 있어서,상기 다공성 나노구조체는, 1 nm 이상의 크기를 갖는 기공을 포함하는 것인, 신경전극
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제1항에 있어서,상기 다공성 나노구조체는, 금, 백금 또는 이들의 합금을 포함하는 것인, 신경전극
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제1항에 있어서,상기 다공성 나노구조체의 다공도는, 30 % 내지 80 %인 것인, 신경전극
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제1항에 있어서,상기 이리듐 산화물층의 두께는, 1 nm 내지 50 nm인 것인, 신경전극
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제1항에 있어서,상기 신경전극은, 전기자극용 신경전극인 것인, 신경전극
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다공성 나노구조체를 형성하는 단계; 및 상기 다공성 나노구조체 상에 이리듐 산화물층을 형성하는 단계; 를 포함하는, 신경전극의 제조방법
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8
제7항에 있어서,상기 다공성 나노구조체를 형성하는 단계는,기판의 적어도 일부분에 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 식각하여 다공성 금속 나노구조체를 형성하는 단계; 를 포함하는 것인, 신경전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속층은, 100 nm 이상의 두께로 형성된 것인, 신경전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는, 전착법을 이용하는 것인, 신경전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속층은, 제1 금속 및 제2 금속을 포함하고,상기 제1 금속 대 상기 제2 금속의 혼합 질량비는, 1:9 내지 5:5인 것인, 신경전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1 금속은, 금, 백금, 또는 이 둘을 포함하고,상기 제2 금속은, 은(Ag) 및 구리(Cu) 또는 이 둘을 포함하는 것인, 신경전극의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속층을 식각하여 다공성 금속 나노구조체를 형성하는 단계는, 제2 금속을 선택적으로 식각하여 제1 금속의 다공성 금속 나노구조체를 형성하는 것인, 신경전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 다공성 나노구조체 상에 이리듐 산화물층을 형성하는 단계는,이리듐 산화물의 전착 용액을 준비하는 단계; 및상기 전착 용액 내에 상기 다공성 나노구조체 담그고, 상기 다공성 나노구조체에 이리듐 산화물을 전착하는 단계; 를 포함하는 것인, 신경전극의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 이리듐 산화물을 전착하는 단계는, 순환전압전류법, 일정전류법, 또는 정전위법을 이용하는 것인, 신경전극의 제조방법
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