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무기 입자;고분자 매트릭스; 및폴리올 구조를 포함한 그래프팅 고분자 사슬을 포함하고,상기 무기 입자와 상기 고분자 매트릭스는 상기 그래프팅 고분자 사슬로 연결된, 나노 복합체
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제1항에 있어서, 상기 무기 입자는 실리카(SiO2) 입자, 티타니아(TiO2) 입자, 아연 산화물(ZnO2) 입자, 지르코니아(ZrO2) 입자, 알루미나(Al2O3) 입자, 그래핀(graphene) 또는 탄소 나노 튜브(CNT)인, 나노 복합체
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제1항에 있어서, 상기 무기 입자의 평균 입경이 1 nm 내지 100 μm인, 나노 복합체
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제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 100 중량부당 상기 무기 입자의 함량은 10 중량부 내지 50 중량부인, 나노 복합체
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제1항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리아마이드, 에폭시 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트
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제1항에 있어서, 상기 그래프팅 고분자 사슬은 하기 화학식 1로 표시된, 나노 복합체:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1 중, A1은 -O- 또는 -C(=O)O-이고,X1 및 X2는 서로 독립적으로 단일결합, -C(=O)-, -O-, C1-C20알킬렌기, C3-C10시클로알킬렌기, C3-C10시클로알케닐렌기, C2-C10헤테로시클로알킬렌기, C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, C6-C20아릴렌기 및 C2-C20헤테로아릴렌기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C20아릴기 및 C2-C20헤테로아릴기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬렌기, C3-C10시클로알킬렌기, C3-C10시클로알케닐렌기, C2-C10헤테로시클로알킬렌기, C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, C6-C20아릴렌기 및 C2-C20헤테로아릴렌기; 중에서 선택되고,y1은 1 내지 5의 정수이고,y1이 2 이상인 경우에 X1의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,y2는 1 내지 5의 정수이고,y2가 2 이상인 경우에 X2의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기 중에서 선택되고,m1은 1 내지 10의 정수이고,m1이 2 이상인 경우에, 괄호 안의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,n1은 1 내지 1,000의 정수이고,n1이 2 이상인 경우에, 괄호 안의 구조는 서로 동일하거나 상이하고,*는 무기 입자와의 결합 사이트이고,*'는 고분자 매트릭스와의 결합 사이트이다
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제1항에 있어서, 상기 그래프팅 고분자 사슬은 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리락트산(PLA) 또는 폴리카프로락톤(PCL)인, 나노 복합체
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무기 입자를 하기 화학식 2로 표시되는 그래프팅 고분자 화합물을 반응시켜 하이브리드 나노 입자를 형성하는 제1단계; 및상기 하이브리드 나노 입자를 고분자 매트릭스와 반응시키는 제2단계;를 포함한, 나노 복합체의 제조 방법:003c#화학식 2003e#상기 화학식 2 중,A1은 -O- 또는 -C(=O)O-이고,R1 내지 R4는 서로 독립적으로 수소, 중수소, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기; 및 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 에폭시기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기, C2-C20알케닐기, C2-C20알키닐기, C1-C20알콕시기 중에서 선택되고,m1은 1 내지 10의 정수이고,n1은 1 내지 1000의 정수이고,Z1는 무기 입자와 반응하는 치환기이고,Z2는 고분자 매트릭스와 반응하는 치환기이다
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제8항에 있어서, 상기 Z1은 -O(Q1), -S(Q1), -Si(Q1)(Q2)(Q3) 또는 에폭시기이고,상기 Q1, Q2 및 Q3은 서로 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된, 나노 복합체의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 Z2는 -O(Q21), -S(Q21), -N(Q21)(Q22), -Si(Q21)(Q22)(Q23), 이소시아네이트기, 카보네이트기 또는 에폭시기이고,상기 Q21, Q22 및 Q23은 서로 독립적으로 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C1-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C1-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 비페닐기 및 터페닐기 중에서 선택된, 나노 복합체의 제조 방법
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상기 무기 입자는 실리카(SiO2) 입자, 티타니아(TiO2) 입자, 아연 산화물(ZnO2) 입자, 지르코니아(ZrO2) 입자, 알루미나(Al2O3) 입자, 그래핀(graphene) 또는 탄소 나노 튜브(CNT)인, 나노 복합체의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 무기 입자는 표면에 제1작용기를 포함하고, 상기 제1작용기는 실라놀기, 히드록시기 및 알콕시기 중에서 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 제1작용기가 상기 화학식 2 중 Z1과 반응하는, 나노 복합체
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제8항에 있어서, 상기 무기 입자의 평균 입경이 1 nm 내지 100 μm인, 나노 복합체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 무기입자 100 중량부당 상기 화학식 2로 표시된 그래프팅 고분자 화합물의 함량은 1 내지 1000 중량부인, 나노 복합체의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리아마이드, 에폭시 수지, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트
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제15항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스는 제2작용기를 포함하고, 상기 제2작용기는 이소시아네이트기, 에폭시기, 히드록시기, 아민기 및 카보네이트기 중에서 선택된 1종 이상을 포함하고, 상기 제2작용기가 상기 화학식 2 중 Z2와 반응하는, 나노 복합체의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스 100 중량부당 상기 하이브리드 나노 입자의 함량은 10 중량부 내지 50 중량부인, 나노 복합체의 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 나노 복합체를 포함한, 나노 복합 필름
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제18항에 있어서, 쇼어(Shore) D 경도가 30 D 내지 60 D인, 나노 복합 필름
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제18항에 있어서, 탄성률이 30 MPa 내지 100 MPa인, 나노 복합 필름
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