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0 중량% 초과 내지 10 중량% 이하의 불화나트륨(Sodium Fluoride, NaF); 0 중량% 초과 내지 50 중량% 이하의 불화수소(hydrogen fluoride, HF); 잔부의 용매; 및트라이톤, 라우릴 글루코사이드, 데실글루코사이드, 옥탄올, 시클로헥산올 및 실리콘유 중에서 선택되는 1종 이상의 계면활성제;를 포함하는, 식각액
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제1항에 있어서,상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, t-부틸 알코올 및 아세톤 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 식각액
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삭제
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제1 기판, 희생층 및 활성층을 포함하는 반도체 복합체를 제공하는 단계; 및상기 반도체 복합체를 0 중량% 초과 내지 10 중량% 이하의 NaF; 0 중량% 초과 내지 50 중량% 이하의 HF; 및 잔부의 용매;를 포함하는 식각액으로 처리하여 희생층을 제거함으로써 상기 반도체 복합체로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 제1 기판, 상기 희생층 및 상기 활성층은, 각각, III-V족 반도체 물질 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 희생층은, 알루미늄을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 희생층은, 알루미늄; 및 III-V족 반도체 물질 중에서 선택되는 1종 이상;을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 반도체 복합체는, 상기 제1 기판 및 상기 희생층 사이에 보호층이 개재되지 않는, 반도체 소자의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 반도체 복합체를 제공하는 단계 후 상기 반도체 복합체로부터 상기 제1 기판을 분리하는 단계 전에,상기 반도체 복합체 상에 제2 기판을 제공하는 단계;를 더 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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10
제9항에 있어서,상기 반도체 복합체와 상기 제2 기판은, 직접 접합되거나, 상기 반도체 복합체 및 상기 제2 기판 사이에 개재되는 접착층을 통해 서로 접합되는, 반도체 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 접착층은, 금속, 금속 산화물, 왁스 및 플루오로폴리머 중에서 선택되는 1종 이상을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 기판은, 실리콘을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법
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