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그의 일면 상에 제 1 패드를 갖는 하부 기판을 제공하는 것;상기 하부 기판 상에 제 2 패드를 갖는 상부 기판을 제공하는 것;상기 제 1 패드와 상기 제 2 패드 사이에 제 1 금속의 제 1 입자들 및 제 2 금속의 제 2 입자들을 포함하는 솔더볼을 제공하는 것;제 1 온도에서 제 1 공정을 수행하여 제 2 입자들을 용융시키는 것; 및상기 제 1 온도에서 제 2 공정을 수행하여 상기 제 1 입자들 사이의 금속층을 형성하는 것을 포함하되,상기 금속층은 상기 제 1 금속과 상기 제 2 금속의 금속간 화합물(inter metallic compound, IMC)을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속의 녹는점은 상기 제 1 온도보다 높고,상기 금속층의 녹는점은 상기 제 2 금속의 녹는점보다 높은 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속층 및 제 1 입자들은 상기 제 1 패드 및 상기 제 2 패드 사이의 전기적 통로를 제공하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속은 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)을 포함하고,상기 제 2 금속은 주석(Sn)계 솔더, 주석/비스무스(Sn/Bi)계 솔더, 주석/인듐(Sn/In)계 솔더, 주석/비스무스/인듐(Sn/Bi/In)계 솔더, 주석/은(Sn/Ag)계 솔더, 주석/은/구리(Sn/Ag/Cu)계 솔더, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 입자들은:상기 제 1 금속으로 이루어진 코어(core)부; 및상기 코어부의 외주면의 적어도 일부를 덮고, 제 3 금속으로 이루어진 쉘(shell)부를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 제 3 금속은 은(Ag), 금(Au), 니켈(Ni), 또는 납(Pb)을 포함하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 솔더볼은 환원제를 함유하는 휘발성 유기물을 더 포함하되,상기 휘발성 유기물은 상기 제 1 공정 또는 상기 제 2 공정 중 제거되는 전자 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 휘발성 유기물의 끓는점은 상기 제 2 금속의 녹는점보다 낮거나 같은 전자 소자의 제조 방법
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그의 일면 상에 제 1 패드를 갖는 하부 기판;상기 하부 기판 상에 실장되고, 상기 제 1 패드에 대응되는 제 2 패드를 갖는 상부 기판; 및상기 제 1 패드와 상기 제 2 패드를 연결하는 연결 단자를 포함하되,상기 연결 단자는:제 1 금속을 포함하는 제 1 입자들; 및상기 제 1 입자들의 사이, 상기 제 1 패드와 상기 제 1 입자들 사이, 및 제 2 패드와 상기 제 1 입자들 사이를 연결하는 금속층을 포함하고,상기 금속층은 상기 제 1 금속과 제 2 금속의 금속간 화합물(inter metallic compound, IMC)을 포함하는 전자 소자
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제 9 항에 있어서,상기 금속층의 녹는점은 상기 제 2 금속의 녹는점보다 높은 전자 소자
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 금속은 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)을 포함하고,상기 제 2 금속은 주석(Sn)계 솔더, 주석/비스무스(Sn/Bi)계 솔더, 주석/인듐(Sn/In)계 솔더, 주석/비스무스/인듐(Sn/Bi/In)계 솔더, 주석/은(Sn/Ag)계 솔더, 주석/은/구리(Sn/Ag/Cu)계 솔더, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 전자 소자
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제 1 금속을 포함하는 제 1 입자들;상기 제 1 입자들 사이를 전기적으로 연결하고, 제 2 금속을 포함하는 제 2 입자들; 및상기 제 1 및 제 2 입자들이 분산되고, 환원제를 함유하는 휘발성 유기물을 포함하되,상기 제 1 금속의 녹는점은 상기 제 2 금속의 녹는점보다 높은 솔더 조성물
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