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성장 기판 상에 초기막을 형성한 후, 상기 초기막 상에 성장제한패턴을 형성하는 단계;상기 성장제한패턴으로부터 노출된 초기막으로부터 질화물계 반도체를 수평결정 성장시켜 노출된 상기 초기막 및 상기 성장제한패턴 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 적층하여 발광구조체를 형성하는 단계;상기 성장제한패턴이 형성된 영역 내에 정렬되도록 상기 발광구조체 상에 셀 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 셀 마스크 패턴을 사용하여 상기 버퍼층 및 상기 발광구조체를 식각하고 마이크로 LED 셀을 개별화하는 단계; 및개별화된 마이크로 LED 셀을 성장 기판에서 분리하여 수용 기판에 전사하는 단계를 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 성장제한패턴의 폭은 1um 내지 70um인 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 셀 마스크의 폭 및 길이는 1um 내지 70um인 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 발광구조체를 형성하는 단계와 상기 셀 마스크 패턴을 형성하는 단계 사이에, 상기 발광구조체 상에 금속 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되도록 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 일부 영역 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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성장 기판 상에 초기막을 형성한 후, 상기 초기막 상에 요철마스크패턴을 형성하는 단계;상기 요철마스크패턴을 이용하여 상기 초기막 및 상기 성장 기판의 일부를 식각하여 오목부와 돌출부를 형성하는 단계;상기 돌출부로부터 요철마스크패턴을 제거하고 질화물계 반도체를 수평결정 성장시켜 상기 오목부와 상기 돌출부 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 적층하여 발광구조체를 형성하는 단계;상기 돌출부의 경계 영역과 일부 중첩되고, 상기 오목부가 형성된 영역 내에 정렬되도록 상기 발광구조체 상에 셀 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 셀 마스크 패턴을 사용하여 상기 초기막, 상기 버퍼층 및 상기 발광구조체를 식각하고 마이크로 LED 셀을 개별화하는 단계; 및개별화된 마이크로 LED 셀을 성장 기판에서 분리하여 수용 기판에 전사하는 단계를 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 요철마스크패턴 사이의 이격공간의 폭은 1um 내지 70um인 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 셀 마스크의 폭 및 길이는 1um 내지 70um인 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 발광구조체를 형성하는 단계와 상기 셀 마스크 패턴을 형성하는 단계 사이에, 상기 발광구조체 상에 금속 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되도록 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 일부를 식각하는 단계; 및 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 일부 영역 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 일부 영역 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 마이크로 LED 어레이의 제조 방법
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