1 |
1
이산화규소(SiO2) 층 및 SiNx 층을 포함하며 상기 x는 1과 5 사이의 실수인 중공 구조를 포함하는 절연성 기판을 포함하는 지지부;상기 지지부의 중공 구조 상에 적층되는 단층 또는 다층의 그래핀 층을 포함하여, 그래핀 표면 상에 관능기를 포함하는 공명부;상기 관능기와 결합하여 공명부 상에 배치된 탐지부; 및상기 탐지부의 무게 변화를 측정할 수 있도록 배치된 측정부를 포함하는 바이오센서
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1항에 있어서상기 중공 구조는 그래핀 층에 의해 완전히 도포되는 내면적을 갖는 것인 바이오센서
|
4 |
4
제 1항에 있어서,상기 관능기는 -NH2, -COOH, -CHO, -OH 및 파이렌(pyrene)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인 바이오센서
|
5 |
5
제 1항에 있어서,상기 탐지부는 DNA, 항원, 항체 및 펩티드로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 프로브 물질을 포함하는 것인 바이오센서
|
6 |
6
제 1항에 있어서,상기 탐지부는 프로브 물질을 포함하고, 상기 프로브 물질은 탐지하려는 표적 물질과 결합되어 무게가 증가되고, 상기 중공 구조의 고유 진동수가 변동되어 표적 물질과 프로브 물질 간의 결합을 확인할 수 있는 바이오센서
|
7 |
7
제 6항에 있어서,상기 표적 물질 및 프로브 물질은 각각 항원 및 항체인 것인 바이오센서
|
8 |
8
이산화규소(SiO2) 층 및 SiNx 층을 포함하며 상기 x는 1과 5 사이의 실수인 절연성 기판에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 절연성 기판의 제 1면을 노광하고, 포토레지스트를 식각한 후 전극을 형성하는 단계;상기 절연성 기판의 제 2면에 멤브레인 제작을 위한 패턴을 형성하는 단계;상기 절연성 기판의 제 2면에서 식각 공정 및 용매 처리를 통해 제 1면에 멤브레인을 형성하는 단계;상기 형성된 멤브레인을 제거하는 단계;제 1면의 멤브레인이 제거된 부분에 형성된 중공 구조 상에 그래핀 층을 적층하는 단계;상기 그래핀 층의 외부로 노출된 표면 상에 관능기를 포함하는 표면처리제로 표면을 처리하여 공명부를 형성하는 단계; 및상기 관능기를 포함하는 공명부 상에 탐지부를 결합하는 단계;를 포함하는 바이오센서의 제조방법
|
9 |
9
제 8항에 있어서,상기 전극은 크롬(Cr) 층 상에 금(Au) 층이 적층된 것인 바이오센서의 제조방법
|
10 |
10
제 8항에 있어서,상기 중공 구조 상에 그래핀을 올려놓고 고정하기 위해 30 내지 70℃에서 경화(curing)한 후 산소 플라즈마 처리하는 것인 바이오센서의 제조방법
|
11 |
11
제 8항에 있어서,상기 중공 구조는 그래핀 층에 의해 완전히 도포되는 내면적을 갖는 것인 바이오센서의 제조방법
|
12 |
12
제 8항에 있어서,상기 절연성 기판은 실리콘 기판의 양면에 SiO2 층 및 SiNx 층이 순차적으로 적층되어 있으며, x는 1과 5 사이의 실수인 바이오센서의 제조방법
|
13 |
13
제 12항에 있어서,상기 절연성 기판이 실리콘 기판의 양면에 SiO2 층 및 SiNx 층이 순차적으로 적층되어 있는 경우, 멤브레인을 형성하는 단계는상기 절연성 기판의 제 2면에서 반응성 이온 식각 공정으로 SiNx 층을 식각하는 단계; 및SiO2층을 제거하고, 실리콘 기판을 식각하여 상기 절연성 기판의 제 1면에 SiNx 멤브레인을 형성하는 단계;를 포함하는 바이오센서의 제조방법
|
14 |
14
제 12항에 있어서,상기 실리콘 기판의 식각 공정에서는 10 내지 40 wt% 염기를 이용한 습식 식각을 사용하는 것인 바이오센서의 제조방법
|