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질화물계 반도체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018016409
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 질화물계 반도체의 제조방법은, 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계와; 버퍼층 위에 제1 비도핑 GaN층을 적층 형성하는 단계와; 제1 비도핑 GaN층 위에 고저항-GaN 삽입층을 적층 형성하는 단계와; 고저항-GaN 삽입층 위에 제2 비도핑 GaN층을 적층 형성하는 단계와; 제2 비도핑 GaN층 위에 AlGaN층을 적층 형성하는 단계; 및 AlGaN층 위에 캡층을 적층 형성하는 단계를 포함한다.이와 같은 본 발명에 의하면, 이종 기판 위에 질화물계 반도체를 성장할 때 결함이 많은 절연층을 삽입함으로써, 추가적인 공정 없이 전기적인 고저항 특성을 확보할 수 있고, 결정성 저하가 없는 고품질의 절연성 질화갈륨을 성장할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020170073323 (2017.06.12)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0135333 (2018.12.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.12)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송근만 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 김도현 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 조주영 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 김종민 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0558061-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.04.18 수리 (Accepted) 9-1-2018-0017354-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0493383-61
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0937427-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0937426-82
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0068863-52
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.02.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0206473-17
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-0206474-52
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2019.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0203161-09
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번호 청구항
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기판과;상기 기판 위에 적층 형성되는 버퍼층과;상기 버퍼층 위에 적층 형성되는 제1 비도핑 GaN층과;상기 제1 비도핑 GaN층 위에 적층 형성되는 고저항-GaN 삽입층과; 상기 고저항-GaN 삽입층 위에 적층 형성되는 제2 비도핑 GaN층과; 상기 제2 비도핑 GaN층 위에 적층 형성되는 AlGaN층; 및상기 AlGaN층 위에 적층 형성되는 캡층을 포함하고,상기 고저항-GaN 삽입층은 InxAlyGaN(x≥0, y≥0)의 조성을 가지며,상기 버퍼층은 500∼600도의 성장 온도에서, 상기 제1 비도핑 GaN층은 800도 이상의 성장 온도에서, 상기 고저항-GaN 삽입층은 500∼800도의 성장 온도에서, 상기 제2 비도핑 GaN층은 900도 이상의 성장 온도에서 각각 형성하는, 저온 → 고온 → 저온 → 고온의 4step 성장에 의해 이루어지는 질화물계 반도체
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a) 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계와;b) 상기 버퍼층 위에 제1 비도핑 GaN층을 적층 형성하는 단계와;c) 상기 제1 비도핑 GaN층 위에 고저항-GaN 삽입층을 적층 형성하는 단계와; d) 상기 고저항-GaN 삽입층 위에 제2 비도핑 GaN층을 적층 형성하는 단계와; e) 상기 제2 비도핑 GaN층 위에 AlGaN층을 적층 형성하는 단계; 및f) 상기 AlGaN층 위에 캡층을 적층 형성하는 단계를 포함하고,상기 단계 c)에서 상기 고저항-GaN 삽입층은 InxAlyGaN(x≥0, y≥0)의 조성을 가지며,상기 버퍼층은 500∼600도의 성장 온도에서, 상기 제1 비도핑 GaN층은 800도 이상의 성장 온도에서, 상기 고저항-GaN 삽입층은 500∼800도의 성장 온도에서, 상기 제2 비도핑 GaN층은 900도 이상의 성장 온도에서 각각 형성하는, 저온 → 고온 → 저온 → 고온의 4step 성장에 의해 이루어지는 질화물계 반도체의 제조방법
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