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예비 기판 위에 복수의 금속 나노선을 형성하는 단계,상기 복수의 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 금속 나노선층을 형성하는 단계,상기 금속 나노선층과 상기 예비 기판을 분리하는 단계,타켓 기판에 접착 패턴을 형성하는 단계, 그리고분리된 상기 금속 나노선층을 타겟 기판에 전사하여 금속 나노선 전극을 형성하는 단계를 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 금속 나노선층을 형성하는 단계에서,상기 복수의 금속 나노선이 환원되어 서로 인접한 금속 나노선이 연결되는 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제2항에서,상기 금속 나노선층을 형성하는 단계에서 사용되는 환원제는 하이드라진(Hydrazine), 하이드록실아민(hydroxylamine), 포름알데히드(formaldehyde)를 포함하는 알데히드, 차아인산염(hypophosphites), 황산염(sulfites), 리튬(Li)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), 나트륨(Na)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), 칼륨(K)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), LiAlH4, 하이드로퀴논(hydroquinone), 알킬(alkyl) 치환된 하이드로퀴논(hydroquinones)을 포함하는 폴리하이드록시벤젠 (polyhydroxybenzenes), 피로갈롤 (pyrogallol), 페닐렌디아민 (phenylenediamines), 아미노페놀(aminophenols), 아스코르브산(ascorbic acid), 아스코르브산 케탈(ascorbic acid ketals), 아스코르브산(ascorbic acid)계 물질, 3-피라졸리돈(3-pyrazolidone), 히드록시테트론산(hydroxytetronic acid), 히드록시테트론아미드(hydroxytetronamide), 비스나프톨(bisnaphthols), 술폰아미도페놀(sulfonamidophenols), 리튬(Li), 나트륨(Na) 및 칼륨(K)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제3항에서,상기 금속 나노선은 납(Pb), 인듐(In), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제4항에서,상기 금속 나노선은 은을 포함하고, 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계에서 사용된 환원제는 하이드라진이고,상기 환원 시간은 약 1분 내지 약 10분인 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제4항에서,상기 금속 나노선은 구리를 포함하고, 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계에서 사용된 환원제는 하이드라진이고,상기 환원 시간은 약 20초 내지 약 60초인 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제1항에서,상기 금속 나노선층과 상기 예비 기판을 분리하는 단계는상기 금속 나노선층을 물이 침지하여 분리하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제7항에서,상기 금속 나노선층과 상기 예비 기판을 분리하는 단계 이후,캐리어 기판을 물에 침지시켜 분리된 상기 금속 나노선층을 상기 캐리어 기판에 옮기는 단계를 더 포함하는금속 나노선 전극의 제조 방법
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제8항에서,상기 캐리어 기판은 표면이 소수성 처리된금속 나노선 전극의 제조 방법
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제9항에서,상기 캐리어 기판은 폴리테트라플루오르에틸렌(Polytetrafluoroethylene), 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 아크릴 고분자, 폴리에틸린테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)) 및 폴리우레탄 아크릴레이트(Poly(urethane acrylate)) 중 하나를 포함하는금속 나노선 전극의 제조 방법
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제10항에서,상기 금속 나노선 전극을 형성하는 단계는상기 접착 패턴이 형성된 타겟 기판에 상기 금속 나노선층이 부착된 상기 캐리어 기판을 압착하는 단계, 그리고상기 캐리어 기판을 상기 타켓 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는금속 나노선 전극의 제조 방법
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제11항에서,상기 금속 나노선 전극은 상기 접착 패턴 위에 형성되는 금속 나노선 전극의 제조 방법
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제12항에서,상기 접착 패턴은 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane), 폴리이미드(Polyimide), 아크릴 고분자, 폴리에틸린테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리메틸메타크릴레이트(Poly(methyl methacrylate)), 폴리우레탄 아크릴레이트(Poly(urethane acrylate), 폴리스티렌(Polystyrene) 및 폴리도파민(Polydopamine) 중 적어도 하나를 포함하는금속 나노선 전극의 제조 방법
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복수의 금속 나노선을 포함하고, 상기 복수의 금속 나노선 중 서로 인접한 금속 나노선이 연결된 네트워크 또는 메쉬 형상인금속 나노선 전극
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제14항에서,상기 금속 나노선은 납(Pb), 인듐(In), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는금속 나노선 전극
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