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페로브스카이트 구조의 유기금속할로겐화물층; 및 상기 유기금속할로겐화물층과 계면을 이루며 적층된 결정성 물질층;을 포함하며, 상기 결정성 물질층의 결정성 물질은 페로브스카이트 구조와 상이한 결정구조를 갖는 결정성 할로겐화물이고,상기 결정성 할로겐화물은 상기 유기금속할로겐화물층의 유기금속할로겐화물의 밴드갭 에너지 보다 큰 밴드갭 에너지를 가지며, 상기 유기금속할로겐화물의 가전자대(valence band) 최대 에너지 레벨 보다 낮은 가전자대(valence band) 최대 에너지 레벨을 갖는 페로브스카이트계 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 상기 유기금속할로겐화물층의 유기금속할로겐화물과 동종 또는 이종의 제2유기금속할로겐화물을 함유하는 페로브스카이트계 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 Cu Kα선을 이용한 X-선 회절 패턴에서, 회절각 2θ가 4 내지 6°인 영역에 회절 피크가 존재하는 페로브스카이트계 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은, 상기 유기금속할로겐화물층의 유기금속할로겐화물과 동종 또는 이종의 제2유기금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염;간의 반응 생성물인 페로브스카이트계 태양전지
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제 4항에 있어서,상기 화학식 1에서, R1, R2 및 R3는 각각 메틸인 페로브스카이트계 태양전지
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제 2항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 상기 제2유기금속할로겐화물 1몰 대비 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염 0
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제 4항에 있어서,상기 제2유기금속할로겐화물은 상기 유기금속할로겐화물층의 유기금속할로겐화물과 동종이며, 상기 반응 생성물은 상기 유기금속할로겐화물층에 상기 4차암모늄염의 용액을 도포한 후 열처리하여 생성되는 페로브스카이트계 태양전지
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제 4항에 있어서,상기 결정성 할로겐화물은 2
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제 1항에 있어서,상기 결정성 물질층의 두께는 1nm 내지 10nm인 페로브스카이트계 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 태양전지는 상기 유기금속할로겐화물층 하부에 위치하는 전자전달체을 더 포함하는 페로브스카이트계 태양전지
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제 10항에 있어서,상기 태양전지는 상기 결정성 물질층 상부에 위치하는 전극을 더 포함하되, 상기 전극은 상기 결정성 물질층과 접하여 위치하거나, 정공전달체을 사이에 두고 상기 결정성 물질층과 대향하도록 위치하는 페로브스카이트계 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 태양전지는 상기 결정성 물질층 상부에 위치하는 정공전달체를 포함하며, 상기 정공전달체는 폴리알킬티오펜을 포함하는 페로브스카이트계 태양전지
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페로브스카이트 구조의 유기금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염;간의 반응 생성물이며, Cu Kα선을 이용한 X-선 회절 패턴에서, 회절각 2θ가 4 내지 6°인 영역에 회절 피크가 존재하는 결정성 할로겐화물
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a) 제1전극 상 전자전달체를 형성하는 단계; b) 전자전달체 상 페로브스카이트 구조의 유기금속할로겐화물층을 형성하는 단계; c) 유기금속할로겐화물층에 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염 용액을 도포한 후 열처리하는 단계; 및 d) 상기 제1전극에 대향하는 대향전극인 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트계 태양전지의 제조방법
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제 14항에 있어서,상기 4차암모늄염 용액의 4차암모늄염 농도는 0
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제 14항에 있어서,상기 열처리는 50 내지 200℃의 온도에서 수행되는 페로브스카이트계 태양전지의 제조방법
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페로브스카이트 구조의 유기금속할로겐화물과 하기 화학식 1을 만족하는 4차암모늄염이 용해된 전구체 용액을 제조하는 단계; 및상기 제조된 전구체 용액의 용매를 휘발 제거하여 고상을 수득하고 열처리하여, Cu Kα선을 이용한 X-선 회절 패턴에서 회절각 2θ가 4 내지 6°인 영역에 회절 피크가 존재하는 결정성 할로겐화물을 제조하는 단계;를 포함하는 결정성 할로겐화물의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 태양전지는 상기 결정성 물질층 상부에 위치하며 폴리알킬(C4-C10)티오펜을 포함하는 정공전달체를 더 포함하며, 상기 폴리알킬(C4-C10)티오펜은 결정성 나노피브릴 구조를 갖는 페로브스카이트계 태양전지
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