| 1 |
1
비닐렌 구조를 포함하는 물질로 서로 반응을 통해 커플링되고,커플링이 이루어진 후 [구조식 1], [구조식 2], [구조식 3] 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 비닐렌 구조에 EWG(electron withdrawing group)이 결합된 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 EWG는 F기, CN기, Cl기 중 1이상 포함된 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 비닐렌 구조를 포함하는 물질로는 DPP-CNTVT, NDI-CNTVT, IID-CNTVT, 29DPP-CNTVT, 29DPP-FTVT 중 1이상 포함된 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 반응은 300 ~ 500℃로 가열함으로 반응을 일으키는 것을 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 반응은 1 ~ 50Kpa의 압력을 추가로 가하는 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 유기반도체성 물질
|
| 8 |
8
박막트랜지스터에 있어서,기판;상기 기판 상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 유기반도체층; 및상기 유기반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하되,상기 유기반도체층은 비닐렌 구조를 포함하는 물질로 서로 반응을 통해 커플링되고,커플링이 이루어진 후 [구조식 1], [구조식 2], [구조식 3] 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 비닐렌 구조에 EWG(electron withdrawing group)이 결합된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 EWG는 F기, CN기, Cl기 중 1이상 포함된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 비닐렌 구조를 포함하는 물질로는 DPP-CNTVT, NDI-CNTVT, IID-CNTVT, 29DPP-CNTVT, 29DPP-FTVT 중 1이상 포함된 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 박막트랜지스터
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 반응은 300 ~ 500℃로 가열함으로 반응을 일으키는 것을 비닐렌 구조를 포함하는 박막트랜지스터
|
| 14 |
14
제8항에 있어서,상기 반응은 1 ~ 50Kpa의 압력을 추가로 가하는 것을 특징으로 하는 비닐렌 구조를 포함하는 박막트랜지스터
|
| 15 |
15
제8항에 있어서,상기 유기반도체층의 두께는 3~10nm 인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
| 16 |
16
제8항에 있어서,상기 게이트 절연막은 유기절연막 또는 무기절연막으로 이루어지되,상기 유기절연막은 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자이리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene) 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하며,상기 무기절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, Al2O3, Ta2O5, BST, PZT 중에서 선택되는 어느 하나 또는 다수개를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
| 17 |
17
제8항에 있어서,상기 게이트 전극은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al-alloy), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금(Mo-alloy), 실버나노와이어(silver nanowire), 갈륨인듐유태틱(gallium indium eutectic), PEDOT;PSS 중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
|
