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금속기판 상에 흑연 분말을 이용하여 제1 층을 형성하는 단계(단계1);상기 제1층 상에 이온빔을 조사하여 상기 제1 층의 물질과 이온이 혼합된 혼합층을 형성하는 단계(단계2); 및상기 혼합층 상에 흑연 분말을 이용하여 제2 층을 형성하는 단계(단계3);를 포함하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계1의 흑연 분말은 금속 분말을 더 포함하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계1의 흑연 분말은 전자파 차폐 성질을 갖는 분말을 더 포함하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계3 이후에, 상기 금속기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계2에서 상기 혼합층은 상기 제1 층 내부에 형성되는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 층은 물리적 기상증착법(PVD)에 의해 형성하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온빔의 이온 에너지는 50 내지 500 KeV인 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온빔에 의해 상기 제1 층 상으로 방출되는 이온은 아르곤(Ar), 질소(N), 탄소(C), 헬륨(He) 및 크세논(Xe) 중 적어도 하나의 이온을 포함하는 방열판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계2에서, 상기 이온빔에 의해 조사되는 이온량은 1 X 1016 내지 1 X 1017 ions/cm2 인 방열판의 제조 방법
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금속기판;상기 금속기판 상에 배치된 제1 층;상기 제1 층 내부에 배치된 혼합층; 및상기 제1 층 상에 배치된 제2 층을 포함하고,상기 제1 층 및 제2 층은 흑연을 포함하고,상기 혼합층은 흑연; 및 아르곤(Ar), 질소(N), 헬륨(He) 및 크세논(Xe) 중 적어도 하나의 이온을 포함하는 방열판
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