| 1 |
1
섬유필라멘트 기판; 및상기 섬유필라멘트 기판 상에 직접 형성된 전자소자용 패턴;을 포함하며,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 섬유형 전자소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 섬유 필라멘트 기판은 투명 유리 섬유, 불투명 유리 섬유, 금속 섬유, 투명 절연성 고분자 섬유, 투명 도전성 고분자 섬유, 불투명 도전성 고분자 섬유, 무기물 반도체 섬유, 유기물 반도체 섬유, 및 산화물 반도체 섬유로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는, 섬유형 전자소자
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 섬유필라멘트 기판 상에 형성된 복수 개의 전자소자용 패턴을 포함하는 전자소자용 패턴 어레이(array)를 포함하고, 상기 패턴 어레이는 복수 개로 형성되며,각 패턴 어레이의 전자소자용 패턴들은 서로 상이한 면적을 갖는 섬유형 전자소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 복수 개의 전자소자용 패턴을 포함하는 전자소자용 패턴 어레이(array)를 포함하고, 상기 패턴 어레이는 복수 개로 형성되며,각 패턴 어레이의 전자소자용 패턴들은 서로 상이한 모양으로 배열되는 섬유형 전자소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 전자소자용 패턴은 상기 섬유필라멘트 기판 상에 복수 개로 적층되는,섬유형 전자소자
|
| 8 |
8
섬유필라멘트 기판; 및상기 섬유 필라멘트 기판 상에 직접 순차적으로 형성된 하부 전극; 반도체층 패턴; 유전층; 및 상부 전극;을 포함하며,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 트랜지스터
|
| 9 |
9
섬유필라멘트 기판; 및섬유필라멘트 기판 상에 직접 형성된 복수 개의 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 패턴 어레이(array)를 포함하며,상기 패턴 어레이는 복수 개로 형성되고,상기 트랜지스터는 상기 섬유 필라멘트 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 전극; 반도체층 패턴; 유전층; 및 상부 전극;을 포함하며,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 트랜지스터
|
| 10 |
10
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 반도체층 패턴은 n형 반도체층 패턴 또는 p형 반도체층 패턴인 트랜지스터
|
| 11 |
11
제8항 또는 제9항에 있어서,상기 하부 전극은 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하고, 상기 상부 전극은 게이트 전극을 포함하는 트랜지스터
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 드레인 전극 및 소스 전극은 서로 이격되어 있고, 상기 반도체층 패턴은 상기 드레인 전극과 소스 전극을 연결하는 채널부를 포함하는 트랜지스터
|
| 13 |
13
섬유필라멘트 기판; 및상기 섬유필라멘트 기판 상에 직접 순차적으로 형성된 하부 전극; p형 활성층; n형 활성층; 절연층; 및 상부 전극;을 포함하며,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 인버터
|
| 14 |
14
섬유필라멘트 기판; 및상기 섬유필라멘트 기판 상에 직접 순차적으로 형성된 하부 전극; p형 활성층; n형 활성층; 절연층; 제1 콘택홀; 상부 게이트 전극; 층간절연층; 제2 콘택홀; 및 상부 전극; 을 포함하며,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 링오실레이터
|
| 15 |
15
섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 직접 형성하는 방법으로서, 섬유필라멘트 기판 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막에 노광공정, 광경화 공정 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴 상면 및 상기 포토레지스트 패턴이 형성되지 않은 섬유필라멘트 기판 상면 상에 증착공정을 수행하여 전자소자용 패터닝층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴 상에 형성된 전자소자용 패터닝층을 상기 섬유필라멘트 기판으로부터 제거하여 전자소자용 패턴을 형성하는 단계; 를 포함하며, 상기 방법은 연속 공정을 통하여 전자소자용 패턴을 형성하는 것이고,상기 노광공정은 마스크리스 노광장치(maskless exposure device)를 통해 수행되고,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 16 |
16
섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 직접 형성하는 방법으로서, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패터닝층을 형성하는 단계; 상기 전자소자용 패터닝층 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트막에 노광공정, 광경화 공정 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크 패턴으로 이용하여 상기 전자소자용 패터닝층에 식각 공정을 수행하여 전자소자용 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 를 포함하며, 상기 방법은 연속 공정을 통하여 전자소자용 패턴을 형성하는 것이고,상기 노광공정은 마스크리스 노광장치(maskless exposure device)를 통해 수행되고,상기 섬유필라멘트 기판은 50nm 미만의 RMS 표면거칠기(Root Mean Square Roughnes)를 갖고, 종횡비(aspect ratio)는 100이상인, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 17 |
17
삭제
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 마스크리스 노광장치는 상기 섬유필라멘트 기판에 관한 설계 데이터에 기초하여 생성된 노광데이터를 이용하여 상기 포토레지스트막을 직접 노광하는 마스크리스 노광 유닛을 포함하고,상기 설계 데이터는 상기 섬유필라멘트 기판에 형성될 하나 이상의 전도성 패턴에 관하여 미리 정해진 전자소자용 패턴 정보와, 상기 전자소자용 패턴 상에 탑재되거나 형성될 전자 부품의 미리 정해진 패드 레이아웃 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 20 |
20
제19항에 있어서,상기 마스크리스 노광 유닛은 상기 광경화 및 현상된 섬유필라멘트 기판의 상기 노광전 섬유필라멘트 기판에 대한 신축을 계측하고, 상기 계측된 신축에 기초하여 상기 노광 데이터의 위치 및 형상을 보정하는 스케일링 보정값을 생성하는 스케일링 보정값 생성 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 21 |
21
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 복수 개의 전자소자용 패턴을 포함하는 전자소자용 패턴 어레이(array)를 포함하고, 상기 패턴 어레이의 전자소자용 패턴들은 각각 상이한 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 22 |
22
제21항에 있어서,상기 전자소자용 패턴 어레이는 제1 영역과 제2 영역으로 구분되며, 상기 제1영역의 전자소자용 패턴들은 제2 영역의 전자소자용 패턴들보다 더 작은 면적을 갖는, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 23 |
23
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 복수 개의 전자소자용 패턴을 포함하는 전자소자용 패턴 어레이(array)를 포함하고, 상기 패턴 어레이의 전자소자용 패턴들은 서로 상이한 모양으로 배열되는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 24 |
24
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 1nm 내지 1μm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 25 |
25
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 노광 공정은 -20℃ 내지 100℃ 범위의 온도 및 1 x 10-8 torr 내지 1500torr 압력 조건 하에서 수행되는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 26 |
26
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 섬유필라멘트 기판은 투명 유리 섬유, 불투명 유리 섬유, 금속 섬유, 투명 절연성 고분자 섬유, 투명 도전성 고분자 섬유, 불투명 도전성 고분자 섬유, 무기물 반도체 섬유, 유기물 반도체 섬유, 및 산화물 반도체 섬유로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 27 |
27
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 섬유필라멘트 기판은 원통형, 삼각기둥, 사각기둥 또는 다각기둥 형의 형상을 갖는, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 28 |
28
제15항 또는 제16항에 있어서,상기 전자소자용 패턴은 전자소자의 소스 전극, 드레인 전극, 절연층 및 배선으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인, 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법
|
| 29 |
29
삭제
|
| 30 |
30
제15항 또는 제16항 중 어느 한 항에 따른 섬유필라멘트 기판 상에 전자소자용 패턴을 형성하는 방법을 포함하는 섬유형 전자 소자 제조 방법
|
