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금속층;상기 금속층 상에 형성된 복수 개의 업-컨버팅 나노입자(up-converting nanoparticle)를 포함하는 광변환 패턴층;상기 금속층과 광변환 패턴층 상에 배치된 금속 패턴층; 및상기 금속 패턴층상에 배치된 점착성 필름;을 포함하고,상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴을 형성하고,상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴을 형성하며,상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴의 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 가시적 패턴 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는, 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속 패턴층은 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanoparticle)들에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속층과 금속 패턴층 사이에서 갭 플라즈몬 폴라리톤(gap plasmon polariton) 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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제1항에 있어서,상기 금속층과 금속 패턴층은 각각 독립적으로 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminum-doped zinc oxide) 및 FTO(Fluorine-doped tin oxide) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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제1항에 있어서,상기 업-컨버팅 나노입자의 평균 직경은 5 내지 100㎚인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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제1항에 있어서,상기 업-컨버팅 나노입자는 이터븀(Yb), 어븀(Er), 툴륨(Tm), 이트륨(Y) 또는 이들을 포함하는 혼합물이 도핑된 할라이드, 칼코게나이드 및 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체
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(a) 기판 상에 금속 패턴을 형성하는 단계;(b) 상기 금속 패턴을 점착성 필름으로 전사시켜 금속 패턴층이 형성된 점착성 필름을 제조하는 단계;(c) 금속 기판을 준비하는 단계; (d) 상기 금속 기판상에 업-컨버팅 나노입자를 포함하는 광변환 패턴을 형성하여 광변환 패턴층이 형성된 기판을 제조하는 단계; 및(e) 상기 광변환 패턴층이 형성된 기판 상에 상기 금속 패턴층이 형성된 점착필름을 배치함으로써, 상기 광변환 패턴층과 금속 패턴층의 중첩부인 가시적 패턴영역을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 광변환 패턴층은 제2 암호화 패턴을 형성하고,상기 금속 패턴층은 제1 암호화 패턴을 형성하며,상기 가시적 패턴영역은 상기 제1 암호화 패턴과 제2 암호화 패턴의 중첩부에서 적외선 인가에 따른 광변환 증폭 현상이 일어나는 것을 특징으로 하는, 제1항의 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,단계 (a)의 상기 기판은 그래핀, 전이 금속 디칼코제나이드(transition metal dichalcogenide materials, TMDCs), 그라파이트, SiC, SiNx, AlN 및 다이아몬드 중에서 선택된 어느 하나의 층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,단계 (a)에서 상기 금속 패턴은 소정의 위치에 별도로 정렬 키(align key)를 형성하여, 단계 (b)에서 상기 점착성 필름에 상기 정렬 키에 상응하는 패턴이 함께 전사되는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서,단계 (c)의 상기 금속 기판은 상기 점착성 필름에 형성된 정렬 키에 상응하는 각인이 형성된 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (e) 이후, 상기 점착성 필름의 정렬 키에 상응하는 패턴이 전사된 부분을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제11항에 있어서,단계 (d)의 상기 광변환 패턴은 상기 정렬 키에 상응하는 각인에 맞추어 패터닝함으로써 상기 금속 패턴과의 중첩부가 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,단계 (a)의 금속 패턴은 2 내지 15nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,단계 (a) 이후,상기 금속 패턴은 200 내지 1000℃로 가열하는 드웨팅(dewetting) 공정을 수행하여 고립된 금속 나노입자(islanded metal nanparticle)들에 의해 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,단계 (b) 이후, 상기 금속 패턴층이 형성된 점착 필름에 전사된 그래핀을 제거하는 단계를 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 구조체의 제조방법
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제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제7항 중에서 선택된 어느 하나의 구조체를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 방지용 포장 박스
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(1) 외부의 빛을 차단한 상태에서 제1항 내지 제3항, 및 제5항 내지 제7항 중 어느 하나의 구조체에 적외선을 인가하는 단계; 및(2) 상기 적외선이 인가된 구조체에서 나타나는 발광 패턴을 확인하여 상기 구조체의 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 확인하는 단계;를 포함하는 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법
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제18항에 있어서,단계 (2)는 육안 또는 가시광 검출 장치로 발광 패턴을 확인하는 것을 특징으로 하는 위조, 변조 또는 재사용 진위여부를 판별하는 방법
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