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가스센서의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000166
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 가스센서의 제조 방법은 기판 상에 히터부를 형성하는 것, 기판의 일부를 제거하여 히터부의 하면을 노출하는 개구부를 형성하는 것, 히터부의 상면 상에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것 및 제1 전극 및 제2 전극의 사이에, 개구부와 수직적으로 중첩된 감지막을 형성하는 것을 포함하되, 감지막을 형성하는 것은 용액공정을 수행하여 산화 아연 나노막대를 성장시키는 것을 포함할 수 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 27/14 (2006.01.01) G01N 33/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180017264 (2018.02.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0016424 (2019.02.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170100567   |   2017.08.08
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0153551-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 히터부를 형성하는 것;상기 기판의 일부를 제거하여 상기 히터부의 하면을 노출하는 개구부를 형성하는 것;상기 히터부의 상면 상에 서로 이격된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 것; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 사이에, 상기 개구부와 수직적으로 중첩된 감지막을 형성하는 것을 포함하되,상기 감지막을 형성하는 것은 용액공정을 수행하여 산화 아연 나노막대를 성장시키는 것을 포함하는 가스센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술진흥원 국제공동기술개발사업 대면적 그래핀 기판을 이용한 저비용, 고품위의 III-V 나노와이어 발광소자 개발