| 1 |
1
다양한 기판 위에 그래핀을 합성/전사하고, UV를 이용하여 상온에서 반응하여 수소가 도핑된 n-doped 그래핀 박막을 형성하는 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 그래핀은 실리콘, sapphire, quartz, glass 뿐만 아니라 다양한 plastic 기판 위에 전사를 포함한다
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서 그래핀은 Cu, Ni, Pt 등 다양한 촉매 박막 혹은 foil 등에 합성된 상태를 포함한다
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서 UV source는 200nm 이하의 파장을 갖는다
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 반응 분위기는 질소가 포함된 가스 전구체인 질소, 암모니아 뿐만 아니라암모늄 이온이 포함된 가스 전구체 및 수소를 포함한 환원성 가스를 포함한다
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 수소의 도핑을 위해 수소가 존재하는 환원성 분위기에서 200도 이하의 후처리를 포함한다
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 그래핀은 단일층 혹은 다중층 구조를 포함하여 그래핀 산화막의 경우도 포함한다
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 그래핀은 기상 방식으로 합성된 박막 뿐만 아니라 용액 상으로 분산하여 박막 형태로 증착하는 경우도 포함한다
|
