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기판;상기 기판 상에 형성된 하부 셀; 상기 하부 셀 상에 배치된 상부 셀; 및 상기 상부 셀과 상기 하부 셀 사이에 배치된 케리어 수집 패턴을 포함하고,상기 상부 셀은 페로브스카이트 구조의 상부 광흡수층을 포함하고,상기 케리어 수집 패턴은 서로 이격되어 배치된 아일랜드 형태이고, 상기 하부 셀에서 공급되는 제1 케리어와 상기 상부 셀에서 공급되는 제2 케리어의 재결합 사이트를 제공하고,상기 케리어 수집 패턴은 투명 전도성 산화물질, 금속 또는 금속 합금이고,상기 하부 셀은 CIGS 태양전지 또는 실리콘 태양전지인 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 상부 셀은:상기 케리어 수집 패턴을 덮도록 배치되고 상기 하부 셀과 접촉하도록 배치된 상부 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 배치된 상부 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치된 상부 전자 전달층; 및상기 상부 전자 전달층 상에 배치된 상부 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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제2 항에 있어서,상기 하부 셀은:상기 기판 상에 배치된 금속 또는 금속 합금의 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 CIGS을 포함하는 하부 광흡수층; 및상기 하부 광흡수층 상에 배치된 버퍼층을 포함하고,상기 버퍼층의 상부면은 상기 케리어 수집 패턴의 하부면과 접촉하고, 상기 상부 정공 전달층의 일부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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제2 항에 있어서,상기 하부 셀과 상기 케리어 수집 패턴 사이에 배치된 터널 절연층을 더 포함하고,상기 터널 절연층의 일부는 상기 상부 정공 전달층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양 전지
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제1 항에 있어서, 상기 케리어 수집 패턴은, 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO; indium-tin oxide), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 인듐아연산화막 (IZO; indium zibc ixude) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 케리어 수집 패턴은, 금속 또는 금속 합금이고, 반구형상인 것을 특징으로 하는 탠덤 태양 전지
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제2 항에 있어서,상기 하부 셀은:상기 기판 상에 배치된 금속 또는 금속 합금의 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 p형 실리콘 반도체층; 및상기 p형 실리콘 반도체층 상에 배치된 n형 실리콘 반도체층을 포함하고,상기 n형 실리콘 반도체층의 상부면은 상기 케리어 수집 패턴의 하부면과 접촉하고, 상기 상부 정공 전달층의 일부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 상부 셀은:상기 케리어 수집 패턴을 덮도록 배치되고 상기 하부 셀과 접촉하도록 배치된 상부 전자 전달층;상기 상부 전자 전달층 상에 배치된 상부 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 배치된 상부 정공 전달층; 및상기 상부 정공 전달층 상에 배치된 상부 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 하부 셀은:상기 기판 상에 배치된 금속 또는 금속 합금의 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치된 n형 다결정 실리콘 반도체층; 상기 n형 다결정 실리콘 반도체층에 배치된 터널 산화물층;상기 터널 산화물층 상에 배치된 n 형 비정질 실리콘층;상기 n 형 비정질 실리콘층에 배치된 진성 비정질 실리콘층; 및상기 진성 비정질 실리콘층에 배치된 p형-비정질 실리콘층을 포함하고,상기 p형-비정질 실리콘층의 상부면은 상기 케리어 수집 패턴의 하부면과 접촉하고, 상기 상부 전자 전달층의 일부와 접촉하는 것을 특징으로 하는 탠덤 태양전지
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