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게이트 구동회로 및 이를 포함하는 전력 스위치 제어장치

  • 기술번호 : KST2019000432
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 스위치 제어장치에 관한 것으로, 전력 스위치의 스위칭 동작을 제어하기 위한 복수의 펄스폭 제어신호들을 생성하여 출력하는 PWM 제어부; 및 상기 PWM 제어부로부터 입력된 복수의 펄스폭 제어신호들에 따라 게이트 구동전류를 단계적으로 조절할 수 있는 게이트 구동회로를 포함한다. 본 발명은 EMI 특성을 악화 시키지 않으면서 스위칭 손실을 줄일 수 있게 하기 위해서는 전력용 MOSFET 게이트 구동 전류의 크기를 자유롭게 제어할 수 있어서 스위칭 손실과 EMI 특성 사이의 최적점에서 구동할 수 있고, 응용처에 따라 쉽게 구동전류를 조절할 수 있는 게이트 구동회로를 구성할 수 있다.
Int. CL H03K 17/16 (2006.01.01) H03K 17/687 (2006.01.01) H03K 7/08 (2006.01.01)
CPC H03K 17/162(2013.01) H03K 17/162(2013.01) H03K 17/162(2013.01)
출원번호/일자 1020170094126 (2017.07.25)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0011502 (2019.02.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경호 대한민국 경상남도 창원시 진해구
2 김기현 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0715241-57
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번호 청구항
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전력 스위치의 스위칭 동작을 제어하기 위한 복수의 펄스폭 제어신호들을 생성하여 출력하는 PWM 제어부; 및상기 PWM 제어부로부터 입력된 복수의 펄스폭 제어신호들에 따라 게이트 구동전류를 단계적으로 조절할 수 있는 게이트 구동회로를 포함하는 전력 스위치 제어장치
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제1항에 있어서, 상기 PWM 제어부는 바이너리 코딩(binary coding)이 적용된 복수의 펄스폭 제어신호들을 출력하는 것을 특징으로 하는 전력 스위치 제어장치
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제1항에 있어서, 상기 게이트 구동회로는 상기 복수의 펄스폭 제어신호들에 대응하는 복수의 구동회로들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 스위치 제어장치
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제3항에 있어서, 상기 복수의 구동회로들 각각은, 바이너리 코딩이 가능하도록 서로 다른 게이트 크기(size)를 갖는 P형 및 N형 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 스위치 제어장치
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제2항에 있어서, 상기 게이트 구동회로는, 상기 복수의 펄스폭 제어신호들의 바이너리 코딩을 통해 총 2n 개의 게이트 구동전류를 출력하고,상기 n은 상기 복수의 펄스폭 제어신호들의 개수에 대응하는 것을 특징으로 하는 전력 스위치 제어장치
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제1항에 있어서, 상기 게이트 구동회로는, 상기 전력 스위치의 스위칭 노이즈가 발생하는 특정 시점 이후에 게이트 구동전류를 단계적으로 증가시키거나 감소시키는 것을 특징으로 하는 전력 스위치 제어장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전기연구원 한국전기연구원연구운영비지원 SiC MOSFET 용 고속 구동 제어 IC 개발