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터치 센서 인-셀 타입 유기전계 발광소자

  • 기술번호 : KST2019000448
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인-셀(in-sell) 타입의 유기전계 발광소자를 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 인-셀(in-sell) 타입의 유기전계 발광소자는 기판 상에 형성되고, 유기 발광 소자(OLED; organic light emitting device)를 구동하는 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터(OLED driving TFT); 제1 컨택홀(contact hole)을 통해 상기 적어도 하나의 OLED 구동 트랜지스터에 연결되는 상기 유기 발광 소자; 상기 기판 상에 상기 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터와 동시에 형성되고, 터치를 센싱하는 적어도 하나의 터치 센싱 박막 트랜지스터(though sensing TFT); 및 제2 컨택홀을 통해 상기 적어도 하나의 터치 센싱 박막 트랜지스터에 연결되고, 상기 유기 발광 소자와 오버랩되지 않는 터치 전극을 포함하고, 상기 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 상기 적어도 하나의 터치 센싱 박막 트랜지스터는 게이트 라인(gate line)을 공유하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/32 (2006.01.01) H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 27/323(2013.01) H01L 27/323(2013.01) H01L 27/323(2013.01) H01L 27/323(2013.01) H01L 27/323(2013.01)
출원번호/일자 1020170099238 (2017.08.04)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0015002 (2019.02.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180130224;
심사청구여부/일자 Y (2017.08.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울특별시 서초구
2 진원봉 중국 서울특별시 동대문구
3 엄재광 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0755870-82
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0590017-74
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1066841-54
4 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1069490-46
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1066865-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0033465-85
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0264321-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0264325-17
9 등록결정서
Decision to grant
2019.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0218113-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되고, 유기 발광 소자(OLED; organic light emitting device)를 구동하는 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터(OLED driving TFT);상기 OLED 구동 박막 트랜지스터 상에 형성되고, 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀을 포함하는 적어도 하나의 패시베이션층;상기 적어도 하나의 패시베이션층 상에 형성되고, 상기 제1 컨택홀(contact hole)을 통해 상기 적어도 하나의 OLED 구동 트랜지스터에 연결되는 상기 유기 발광 소자;상기 기판 상에 상기 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터와 동시에 형성되고, 터치 센싱 전압 조절 및 터치를 센싱하는 제1 터치 센싱 박막 트랜지스터 및 상기 제1 터치 센싱 박막 트랜지스터의 턴 오프(turn off) 상태를 만들며 리셋 기능을 수행하는 제2 터치 센싱 박막 트랜지스터를 포함하는 적어도 둘의 터치 센싱 박막 트랜지스터(touch sensing TFT); 및상기 적어도 하나의 패시베이션층 상에 형성되고, 상기 제2 컨택홀을 통해 상기 적어도 둘의 터치 센싱 박막 트랜지스터에 연결되고, 상기 유기 발광 소자와 오버랩되지 않는 터치 전극을 포함하고,상기 제1 컨택홀은 내부에 상기 유기 발광 소자의 양극이 형성되어 상기 적어도 하나의 OLED 구동 트랜지스터와 상기 유기 발광 소자를 연결하며,상기 제2 컨택홀은 내부에 상기 터치 전극이 형성되어, 상기 적어도 둘의 터치 센싱 박막 트랜지스터와 상기 터치 전극을 연결하고상기 적어도 하나의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 상기 제2 터치 센싱 박막 트랜지스터는 게이트 라인(gate line)을 공유하는 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀(in-cell) 타입의 유기전계 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 적어도 둘의 터치 센싱 박막 트랜지스터는,상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성되고, 서로 이격된 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 상에 형성된 패시베이션층; 및상기 패시베이션층 상에 형성되고, 제2 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 상기 터치 전극(touch electrode)을 포함하고,상기 터치 전극은 상기 유기 발광 소자의 유기 발광층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 적어도 둘의 터치 센싱 박막 트랜지스터는,상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상에 형성되고, 서로 이격된 소스/드레인 전극;상기 소스/드레인 전극 상에 형성된 패시베이션층; 및상기 패시베이션층 상에 형성되고, 제2 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결되는 상기 터치 전극을 포함하고,상기 터치 전극은 상기 유기 발광 소자의 유기 발광층 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자는,상기 유기 발광 소자가 형성된 방출 영역(emission area) 및 상기 터치 전극이 형성된 터치 전극 영역(touch electrode area)를 포함하고,상기 터치 전극 영역의 면적은 표시 영역의 면적의 50% 이하인 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 방출 영역(emission area)의 면적은 표시 영역의 면적의 50% 미만인 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 터치 전극의 터치 정전용량 최소값(touch capacitance minimum value)은 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 터치 전극의 최소 사이즈는 2X2mm2 이하인 것을 특징으로 하는 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 터치 센서 인-셀 타입의 유기전계 발광소자를 포함하는 표시 장치
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상지원부 경희대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발 AMOLED TV용 Soluble TFT 및 화소 형성 소재/공정 기술 개발