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원자현미경 프로브 사출용 몰드 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000473
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 팁의 곡률반경을 작게 하여 원자현미경의 해상도를 높일 수 있는 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법을 제공하는 것이 그 기술적 과제이다. 이를 위해, 본 발명의 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법은, 팁과 빔을 포함한 원자현미경 프로브를 사출하는데 사용되는 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법으로, 상기 팁과 상기 빔의 형상을 금속층의 제1 면에 1차 전사하는 단계; 및 상기 1차 전사된 금속층의 제2 면에 탄성 실리콘을 도포하고 경화시켜 상기 팀과 상기 빔의 형상을 2차 전사하는 단계를 포함한다.
Int. CL B29C 33/38 (2018.01.01) G01Q 60/00 (2010.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) B29L 31/00 (2006.01.01)
CPC B29C 33/38(2013.01) B29C 33/38(2013.01) B29C 33/38(2013.01) B29C 33/38(2013.01) B29C 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020170091313 (2017.07.19)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2086802-0000 (2020.03.03)
공개번호/일자 10-2019-0009502 (2019.01.29) 문서열기
공고번호/일자 (20200309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정철 대한민국 서울특별시 강남구
2 김석범 대한민국 서울특별시 강남구
3 윤여원 대한민국 서울특별시 영등포구
4 이보라 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층(역삼동, 두원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0690688-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0717996-26
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0128341-61
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1298972-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0079257-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0079256-69
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0391165-90
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0785448-44
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-0785447-09
12 등록결정서
Decision to grant
2019.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0941961-17
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
팁과 빔을 포함한 원자현미경 프로브를 사출하는데 사용되는 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법으로,상기 팁과 상기 빔의 형상의 1차 전사를 통해 상기 팁과 상기 빔의 형상을 금속층의 제1 면에 전사하는 단계; 및상기 1차 전사에 의해 얻어진 상기 금속층의 제2 면에 탄성 실리콘을 도포하고 경화시키는 2차 전사를 통해 상기 팁과 상기 빔의 형상을 가지는 상기 원자현미경 프로브 사출용 몰드를 제조하는 단계를 포함하는 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 1차 전사에서,상기 팁의 형상에 맞게 식각된 실리콘 웨이퍼와 상기 실리콘 웨이퍼에 형성되며 상기 빔의 형상에 맞게 현상된 PR막에 걸쳐 금속층이 형성되도록 금속을 증착시켜 상기 금속층의 제1 면에 상기 팁과 상기 빔의 형상을 1차 전사하는원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 1차 전사에서,상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 실리콘 산화막을 형성시키는 단계;상기 실리콘 산화막에 제1 PR막을 형성시키는 단계;상기 팁이 패터닝된 제1 마스크를 이용하여 상기 제1 PR막에 팁 패턴을 노광하는 단계;상기 노광된 팁 패턴을 상기 제1 PR막에 현상하는 단계;상기 현상된 팁 패턴에 맞게 실리콘 산화막에 개방부를 형성시키는 단계;상기 제1 PR막을 제거하는 단계;상기 개방부를 통해 상기 실리콘 웨이퍼를 팁 형상에 맞게 비등방성 식각하는 단계;상기 실리콘 산화막을 제거하는 단계;상기 실리콘 산화막이 제거된 실리콘 웨이퍼에 제2 PR막을 형성시키는 단계;상기 빔이 패터닝된 제2 마스크를 이용하여 상기 제2 PR막에 빔 패턴을 노광하는 단계;상기 노광된 빔 패턴을 상기 제2 PR막에 현상하는 단계; 및상기 실리콘 웨이퍼 중 상기 현상된 빔 패턴의 부분과 상기 제2 PR막이 남겨진 부분 모두에 걸쳐 상기 금속층이 형성되도록 상기 금속을 증착시켜 상기 팁과 상기 빔의 형상을 상기 금속층의 상기 제1 면에 전사하는 단계를 포함하는원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 금속은 금인원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
5 5
제2항에서,상기 2차 전사에서,상기 금속층의 상기 제1 면에 에폭시를 주입하는 단계;상기 주입된 에폭시를 경화시키는 단계;상기 금속층의 상기 제2 면이 노출되도록 상기 실리콘 웨이퍼로부터 탈형시키는 단계; 및상기 금속층의 상기 제2 면에 상기 탄성 실리콘을 도포하고 경화시켜 상기 팁과 상기 빔의 형상을 전사하는 단계를 포함하는원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
6 6
제5항에서,상기 탄성 실리콘은 폴리디메틸실록산인원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 원자현미경 프로브 사출용 몰드의 제조 방법에 의해 제조된 제1 주형을포함하는원자현미경 프로브 사출용 몰드
8 8
제7항에서,상기 제1 주형과 결합되며 프로브 형성 물질을 주입하기 위한 주입구를 가지는 제2 주형을 더 포함하는 원자현미경 프로브 사출용 몰드
9 9
제8항에서,상기 주입구는,상기 프로브 형성 물질이 모세관 힘에 의해 주입될 정도의 크기를 가지는원자현미경 프로브 사출용 몰드
10 10
제8항에서,상기 제2 주형에는 상기 원자현미경 프로브의 칩의 형상이 전사된 칩 성형 공간이 형성되고,상기 칩 성형 공간에는 복수의 미세 기둥이 구비되는원자현미경 프로브 사출용 몰드
11 11
삭제
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서강대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 가역 재구성 가능한 사차원 나노구조를 위한 유-무기 하이브리드 나노스케일 삼차원 프린팅