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포토레지스트 층을 준비하는 단계;상기 포토레지스트 층에 복수의 간섭성 평행광을 이용한 3차원 광간섭 패턴을 조사하는 단계; 3차원 광간섭 패턴이 조사된 포토레지스트 층을 현상하여 3차원 고분자 네트워크 구조체를 형성하는 단계; 및상기 3차원 고분자 네트워크 구조체 및 붕소 전구체를 함께 소결하여, 붕소가 도핑된 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 동시 소결 단계;를 포함하며, 상기 3차원 탄소 네트워크 구조체는 복수의 노드 및 인접하는 노드를 연결하는 섬유로 이루어지고, 상기 노드 및 상기 섬유에 의하여 구획되는 복수의 단위 공간이 3차원적으로 서로 접하여 반복적으로 배열되며, 상기 노드 및 상기 섬유는 붕소-도핑 탄소 소재를 포함하는 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서, 상기 동시 소결 단계는, 액상의 붕소 전구체를 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체 표면에 코팅한 후, 동시 소결하는 것인 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 동시 소결 단계는, 기상의 붕소 전구체를 주입하며 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체와 동시 소결하는 것인 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서, 상기 동시 소결 단계는, 동시 소결을 통하여 고상의 붕소 전구체 또는 액상의 붕소 전구체가 기상의 붕소 전구체로 전환되어 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체에 흡착되는 것인 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서, 상기 동시 소결 단계에서의 소결 온도는 500 ℃ 내지 1,500 ℃ 인 것인 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서, 상기 3차원 광간섭 패턴은, 3 이상 5 이하의 간섭성 평행광을 중첩 조사하여 형성되는 것인 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 10에 있어서, 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체를 형성하는 단계는, 상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 포토레지스트 층을 열처리 및 세척하여 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 포함하는 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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