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포토레지스트 층을 준비하는 단계;상기 포토레지스트 층에 복수의 간섭성 평행광을 이용한 3차원 광간섭 패턴을 조사하는 단계; 3차원 광간섭 패턴이 조사된 포토레지스트 층을 현상하여 3차원 고분자 네트워크 구조체를 형성하는 단계;상기 3차원 고분자 네트워크 구조체를 소결하여 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 단계; 및 상기 3차원 탄소 네트워크 구조체를 강염기로 처리한 후, 이를 소결하여 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체는 복수의 노드 및 인접하는 노드를 연결하는 섬유로 이루어지고, 상기 노드 및 상기 섬유에 의하여 구획되는 복수의 단위 공간이 3차원적으로 서로 접하여 반복적으로 배열되며, 상기 노드 및 상기 섬유는 나노 기공을 포함하는 것인 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 단계에서의 강염기로 처리는 KOH, NaOH, Ca(OH)2, Mg(OH)2 및 Ba(OH)2 중 적어도 1종을 포함하는 염기성 용액을 상기 3차원 탄소 네트워크 구조체의 노드 및 섬유 표면에 코팅하는 것인 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 단계는, 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체를 500 ℃ 내지 1,500 ℃ 온도에서 소결시키는 것을 포함하는 것인 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체를 형성하는 단계는 강염기로 처리된 상기 3차원 탄소 네트워크 구조체를 300 ℃ 내지 1,200 ℃ 온도에서 소결시키는 것을 포함하는 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 3차원 광간섭 패턴은, 3 이상 5 이하의 간섭성 평행광을 중첩 조사하여 형성되는 것인 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 3차원 고분자 네트워크 구조체를 형성하는 단계는, 상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 포토레지스트 층을 열처리 및 세척하여 상기 포토레지스트 층을 현상하는 것을 포함하는 활성화된 3차원 탄소 네트워크 구조체의 제조방법
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