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자외선 조사 및 열처리를 이용한 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019000485
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판에 산질화물을 포함하는 박막을 증착하는 단계; 상기 산질화물 박막에 UV를 조사하는 단계; 및 상기 산질화물 박막에 열처리를 하는 단계를 포함하되, 상기 UV를 조사하는 단계와 상기 열처리를 하는 단계를 통해, 상기 산질화물 박막에서 서브 갭 결함을 발생시키는 금속-질소 결합을 줄임으로써, 상기 산질화물 박막의 전계 효과 이동도를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020170095560 (2017.07.27)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1963698-0000 (2019.03.25)
공개번호/일자 10-2019-0012499 (2019.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20190520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권혁인 대한민국 서울특별시 강남구
2 정환석 대한민국 경기도 파주시 가온
3 김대환 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0726857-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0044935-27
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0650610-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1009316-25
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1009317-71
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0187438-74
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5013315-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
기판에 산질화물 박막을 증착하는 단계;상기 산질화물 박막에 UV를 조사하는 단계; 및상기 산질화물 박막에 열처리를 하는 단계를 포함하되,상기 UV를 조사하는 단계와 상기 열처리를 하는 단계를 통해, 상기 산질화물 박막을 채널층으로 형성하고, 상기 산질화물 박막에서 서브 갭 결함을 발생시키는 금속-질소 결합을 줄임으로써, 상기 산질화물 박막의 전계 효과 이동도를 증가시키는 것을 특징으로 하는,산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 산질화물은,산질화 아연, 산질화 갈륨, 산질화 인듐 중에서 어느 하나인,산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 산질화물 박막에 UV를 조사하는 단계는,가열 없이 공기 중에서 10분 내지 20분 동안 UV를 조사하는 단계를 포함하는,산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 산질화물 박막에 열처리를 하는 단계는,아르곤(Ar) 가스 분위기에서 섭씨 250도 내지 280도의 온도로 열처리를 하는 단계를 포함하는,산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 산질화물 박막에 열처리를 하는 단계는,아르곤(Ar) 가스 분위기에서 1시간 동안 열처리를 하는 단계를 포함하는,산질화물 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 중앙대학교 산학협력단 개인기초연구(미래부) 산화물 박막 트랜지스터를 활용한 모노리틱 3차원 CMOS 공정 개발 및 고성능 회로 구현